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1. (WO2019027544) TECHNIQUE DE RAFRAÎCHISSEMENT PARTIEL POUR ÉCONOMISER DE LA PUISSANCE DE RAFRAÎCHISSEMENT DE MÉMOIRE
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N° de publication : WO/2019/027544 N° de la demande internationale : PCT/US2018/034659
Date de publication : 07.02.2019 Date de dépôt international : 25.05.2018
CIB :
G11C 11/406 (2006.01) ,G11C 7/10 (2006.01) ,G11C 8/12 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
11
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
21
utilisant des éléments électriques
34
utilisant des dispositifs à semi-conducteurs
40
utilisant des transistors
401
formant des cellules nécessitant un rafraîchissement ou une régénération de la charge, c. à d. cellules dynamiques
406
Organisation ou commande des cycles de rafraîchissement ou de régénération de la charge
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
7
Dispositions pour écrire une information ou pour lire une information dans une mémoire numérique
10
Dispositions d'interface d'entrée/sortie (E/S, I/O) de données, p.ex. circuits de commande E/S de données, mémoires tampon de données E/S
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
8
Dispositions pour sélectionner une adresse dans une mémoire numérique
12
Circuits de sélection de groupe, p.ex. pour la sélection d'un bloc de mémoire, la sélection d'une puce, la sélection d'un réseau de cellules
Déposants :
QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714, US
Inventeurs :
SUH, Jungwon; US
LI, Yanru; US
LO, Michael Hawjing; US
CHUN, Dexter Tamio; US
Mandataire :
OLDS, Mark E.; US
CICCOZZI, John L.; US
PODHAJNY, Daniel; US
Données relatives à la priorité :
15/667,61802.08.2017US
Titre (EN) PARTIAL REFRESH TECHNIQUE TO SAVE MEMORY REFRESH POWER
(FR) TECHNIQUE DE RAFRAÎCHISSEMENT PARTIEL POUR ÉCONOMISER DE LA PUISSANCE DE RAFRAÎCHISSEMENT DE MÉMOIRE
Abrégé :
(EN) In a conventional memory subsystem, a memory controller issues explicit refresh commands to a DRAM memory device to maintain integrity of the data stored in the memory device when the memory device is in an auto refresh mode. A significant amount of power may be consumed to carry out the refresh. To address this and other issues, it is proposed to allow a partial refresh in the auto refresh mode in which the refreshing operation may be skipped for a subset of the memory cells. Through such selective refresh skipping, the power consumed for auto refreshes may be reduced. Operating system kernels and memory drivers may be configured to determine areas of memory for which the refreshing operation can be skipped.
(FR) Dans un sous-système de mémoire classique, un dispositif de commande de mémoire émet des commandes de rafraîchissement explicites vers un dispositif de mémoire DRAM afin de conserver l'intégrité des données stockées dans le dispositif de mémoire lorsque le dispositif de mémoire est dans un mode de rafraîchissement automatique. Une quantité significative de puissance peut être consommée pour effectuer le rafraîchissement. Pour résoudre ce problème et d'autres problèmes, il est proposé de permettre un rafraîchissement partiel dans le mode d'auto-rafraîchissement dans lequel l'opération de rafraîchissement peut être sautée pour un sous-ensemble des cellules de mémoire. Grâce à un tel saut de rafraîchissement sélectif, la puissance consommée pour des rafraîchissements automatiques peut être réduite. Des noyaux de système d'exploitation et des dispositifs de commande de mémoire peuvent être configurés pour déterminer des zones de mémoire pour lesquelles l'opération de rafraîchissement peut être sautée.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)