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1. (WO2019027343) PROCÉDÉ DE REFROIDISSEMENT INTENSIF D’INSTRUMENTS SEMI-CONDUCTEURS À TENSION THERMIQUE ÉLEVÉE
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N° de publication : WO/2019/027343 N° de la demande internationale : PCT/RU2017/000651
Date de publication : 07.02.2019 Date de dépôt international : 05.09.2017
CIB :
H01L 23/34 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
34
Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
Déposants :
ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "РСК ЛАБС" RSC LABS LIMITED LIABILITY COMPANY [RU/RU]; территория инновационного центра Сколково, ул. Нобеля, 7, этаж 2, пом. 57, Москва, territoria innovatsionnogo tsentra Skolkovo ul. Nobelia, 7, etazh 2, pom. 57 Moscow, 143026, RU
Inventeurs :
ДРУЖИНИН, Егор Александрович DRUZHININ, Egor Alexandrovich; RU
ШМЕЛЕВ, Алексей Борисович SHMELEV, Alexey Borisovich; RU
ВЯЗЕМСКАЯ, Наталья Игоревна VYAZEMSKAYA, Nataliya Igorevna; RU
МИХАСЕВ, Андрей Александрович MIHASEV, Andrey Alexandrovich; RU
КОСОЙ, Александр Семенович KOSOY, Alexandr Semenovich; RU
БОЛЬШАКОВ, Юрий Павлович BOLSHAKOV, Yury Pavlovich; RU
Mandataire :
КОТЛОВ, Дмитрий Владимирович KOTLOV, Dmitry Vladimirovich; RU
Données relatives à la priorité :
201712766002.08.2017RU
Titre (EN) METHOD OF INTENSIVE COOLING OF HIGHLY THERMALLY LOADED SEMICONDUCTOR INSTRUMENTS
(FR) PROCÉDÉ DE REFROIDISSEMENT INTENSIF D’INSTRUMENTS SEMI-CONDUCTEURS À TENSION THERMIQUE ÉLEVÉE
(RU) СПОСОБ ИНТЕНСИВНОГО ОХЛАЖДЕНИЯ ВЫСОКО ТЕПЛОНАПРЯЖЕННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
Abrégé :
(EN) The invention relates to thermal engineering and can be used primarily in cooling systems for electronic components, in particular power supply units, computer modules, power semiconductor elementsetc. A method of intensive cooling of highly thermally loaded semiconductor instruments comprises removal of heat from a cooled surface using liquid as a coolant flowing in channels of the cooling system, wherein for intensive cooling of highly thermally loaded semiconductor instruments, boiling of a subcooled dielectric liquid to a saturation temperature is used with a flow rate of the dielectric liquid in a channel of 5-7 m/s at a subcooling temperature thereof of 15-40°C. The technical effect is to raise the effectiveness of extreme heat flow removal without the entrainment of vapor bubbles in the flow core or the volume of liquid, and without continuously acting centers of vapor formation owing to the deactivation thereof because of the condensation of vapor remaining therein after detachment from the center of a vapor bubble, which precludes the onset of crisis phenomena in the cooling system.
(FR) L'invention concerne le génie thermique et peut être utilisée prioritairement dans des systèmes de refroidissement de composants électroniques, notamment dans des blocs d’alimentation de force, des modules de calcul d'ordinateurs d’éléments semi-conducteurs à force, etc.; le procédé de refroidissement intensif d’instruments semi-conducteurs à tension thermique élevée consiste à évacuer les flux thermiques depuis la surface à refroidir en utilisant un liquide en tant que refroidissement qui s’écoule dans les canaux du systèmes de refroidissement, qui utilise l’ébullition d'un liquide diélectrique non porté à température de saturation, avec un débit d’écoulement du liquide diélectrique dans le canal de 5-7 m/s et une température de son réchauffement insuffisant de 15-40°C. Le résultat technique consiste à augmentation de l'efficacité d’évacuation de chaleur des flux thermiques extrêmes en l’absence d’emport de bulles de vapeur vers le noyau du flux ou vers le volume de liquide, l'absence de centres actifs en permanence de formation de vapeur suite à leur désactivation en raison de la condensation de vapeur y restant après le détachement du centre de la bulle de vapeur, ce qui exclut le risque d’évènements de crise dans le système de refroidissement.
(RU) Изобретение относится к теплотехнике и может быть использовано преимущественно в системах охлаждения электронных компонентов, в частности, силовых блоков питания, вычислительных модулей компьютера, силовых полупроводниковых элементов и т.д. Способ интенсивного охлаждения высоко теплонапряженных полупроводниковых приборов включает отвод тепловых потоков от охлаждаемой поверхности с использованием жидкости в качестве охладителя, протекающей в каналах системы охлаждения, при этом для интенсивного охлаждения высоко теплонапряженных полупроводниковых приборов используют кипение недогретой до температуры насыщения диэлектрической жидкости, при скорости течения диэлектрической жидкости в канале 5-7 м/с и температуре ее недогрева 15-40ºС. Технический результат заключается в повышении эффективности отвода экстремальных тепловых потоков, в отсутствии уноса паровых пузырей в ядро потока или в объем жидкости, отсутствии постоянно действующих центров парообразования вследствие их деактивации из-за конденсации пара, оставшегося в них после отрыва от центра парового пузыря, что исключает возникновение кризисных явлений в системе охлаждения.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : russe (RU)
Langue de dépôt : russe (RU)