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1. (WO2019027305) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN CAPTEUR D'EMPREINTES DIGITALES ULTRASONORE AU MOYEN D'UNE STRUCTURE À NANOTIGES
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N° de publication : WO/2019/027305 N° de la demande internationale : PCT/KR2018/008914
Date de publication : 07.02.2019 Date de dépôt international : 06.08.2018
CIB :
H01L 41/113 (2006.01) ,G06K 9/00 (2006.01) ,H01L 41/18 (2006.01) ,H01L 41/047 (2006.01) ,H01L 29/06 (2006.01) ,H01L 21/56 (2006.01) ,H01L 21/28 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41
Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
08
Eléments piézo-électriques ou électrostrictifs
113
à entrée mécanique et sortie électrique
G PHYSIQUE
06
CALCUL; COMPTAGE
K
RECONNAISSANCE DES DONNÉES; PRÉSENTATION DES DONNÉES; SUPPORTS D'ENREGISTREMENT; MANIPULATION DES SUPPORTS D'ENREGISTREMENT
9
Méthodes ou dispositions pour la lecture ou la reconnaissance de caractères imprimés ou écrits ou pour la reconnaissance de formes, p.ex. d'empreintes digitales
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41
Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
16
Emploi de matériaux spécifiés
18
pour des éléments piézo-électriques ou électrostrictifs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41
Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
Détails
04
d'éléments piézo-électriques ou électrostrictifs
047
Electrodes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
06
caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
56
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28
Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
Déposants :
한국산업기술대학교산학협력단 KOREA POLYTECHNIC UNIVERSITY INDUSTRY ACADEMIC COOPERATION FOUNDATION [KR/KR]; 경기도 시흥시 산기대학로 237 (정왕동, 한국산업기술대학교) (Jeongwang-dong, KOREA POLYTECHNIC UNIVERSITY)237, Sangidaehak-ro, Siheung-si, Gyeonggi-do Gyeonggi-do 15073, KR
Inventeurs :
김경국 KIM, Kyoung Kook; KR
Mandataire :
강태훈 KANG, Tae Hoon; KR
나선균 NA, Sun Kyoon; KR
방영석 BAHNG, Young Suk; KR
Données relatives à la priorité :
10-2017-009920204.08.2017KR
10-2018-009137706.08.2018KR
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING ULTRASONIC FINGERPRINT SENSOR BY USING NANOROD STRUCTURE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN CAPTEUR D'EMPREINTES DIGITALES ULTRASONORE AU MOYEN D'UNE STRUCTURE À NANOTIGES
(KO) 나노로드 구조를 이용한 초음파 지문센서의 제조방법
Abrégé :
(EN) The present invention relates to a method for manufacturing an ultrasonic fingerprint sensor by using a nanorod structure, the method comprising: a conductive mold generating step of etching a conductive substrate so as to generate a plurality of rod generating holes spaced apart by a predetermined interval; a nanorod generating step of filling the plurality of rod generating holes with a nano piezoelectric material so as to generate nanorods; a side electrode generating portion indicating step of marking side electrode generating portions on conductive mold edge portions on one sides of the rod generating holes; a conductive mold etching step of primarily etching the remaining conductive mold, excluding the nanorods, the marked side electrode generating portions, and the conductive substrate base connecting the same, so as to generate nanorods and side electrodes; an insulating material filling step of filling parts etched through the conductive mold etching step with an insulating material; a lower electrode forming step of conducting secondary etching so as to expose first end portions of the nanorods and of the side electrodes, which are surrounded by the insulating material through the insulating material filling, and forming lower electrodes on the exposed first end portions of the nanorods and of the side electrodes; a dummy substrate attaching step of attaching a dummy substrate to the surface on which the lower electrodes are formed; and an upper electrode forming step of forming upper electrodes on second end portions of the nanorods and of the side electrodes, which are exposed by removing the conductive substrate base connecting the nanorods and the side electrodes.
(FR) La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un capteur d'empreintes digitales ultrasonore au moyen d'une structure à nanotiges. Le procédé comprend : une étape de production de moule conducteur consistant à graver un substrat conducteur de façon à produire plusieurs trous de production de tige espacés par un intervalle prédéfini; une étape de production de nanotiges consistant à remplir plusieurs trous de production de tige avec un matériau nanopiézoélectrique afin de produire des nanotiges; une étape d'indication de partie de production d'électrode latérale consistant à marquer des parties de production d'électrode latérale sur des parties de bord de moule conducteur sur un côté des trous de production de tige; une étape de gravure de moule conducteur consistant principalement à graver le moule conducteur restant, à l'exception des nanotiges, les parties marquées de production d'électrode latérale et la base du substrat conducteur et à les relier, afin de produire des nanotiges et des électrodes latérales; une étape de remplissage de matériau isolant consistant à remplir des parties gravées à l'étape de gravure de moule conducteur avec un matériau isolant; une étape de formation d'électrode inférieure consistant à réaliser une gravure secondaire afin de découvrir des premières parties d'extrémité des nanotiges et des électrodes latérales, qui sont entourées par le matériau isolant au moyen du remplissage de matériau isolant, et à former des électrodes inférieures sur les premières parties d'extrémité découvertes des nanotiges et des électrodes latérales; une étape de fixation de substrat factice consistant à fixer un substrat factice sur la surface sur laquelle les électrodes inférieures sont formées; et une étape de formation d'électrode supérieure consistant à former des électrodes supérieures sur des secondes parties d'extrémité des nanotiges et des électrodes latérales, qui sont découvertes par retrait de la base du substrat conducteur reliant les nanotiges et les électrodes latérales.
(KO) 본 발명은 전도성 기판을 식각하여 일정 간격으로 이격된 복수의 로드 생성홀들을 생성하는 전도성 몰드 생성단계, 상기 복수의 로드 생성홀들에 나노 압전물질을 충진하여 나노로드들을 생성하는 나노로드 생성단계, 상기 로드 생성홀 일측의 상기 전도성 몰드 테두리부에 측면전극 생성부를 마킹하는 측면전극 생성부 표시단계, 상기 나노로드와 상기 마킹된 측면전극 생성부 및 이들을 연결하는 전도성 기판 베이스를 제외하고, 나머지 전도성 몰드를 1차 식각하여 나노로드와 측면전극을 생성하는 전도성 몰드 식각단계, 상기 전도성 몰드 식각단계를 통해 식각된 부분에 절연재를 충진하는 절연재 충진단계, 상기 절연재의 충진에 의해 절연재로 둘러싸인 상기 나노로드 및 측면전극의 일단부가 노출되도록 2차 식각하고, 노출된 나노로드 및 측면전극의 일단부에 하부전극을 형성하는 하부전극 형성단계, 상기 하부전극이 형성된 표면에 더미기판(dummy substrate)을 접착하는 더미기판 접착단계 및 상기 나노로드와 측면전극을 연결하는 상기 전도성 기판 베이스를 제거하여 노출된 상기 나노로드와 측면전극의 타단부에 상부전극을 형성하는 상부전극 형성단계를 포함하는 나노로드 구조를 이용한 초음파 지문센서의 제조방법에 관한 것이다.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)