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1. (WO2019027278) BOÎTIER DE PUCE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2019/027278 N° de la demande internationale : PCT/KR2018/008816
Date de publication : 07.02.2019 Date de dépôt international : 03.08.2018
CIB :
H01L 23/28 (2006.01) ,H01L 23/485 (2006.01) ,H01L 23/48 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 23/528 (2006.01) ,H01L 23/00 (2006.01) ,H01L 21/56 (2006.01) ,H01L 23/498 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
482
formées de couches conductrices inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
485
formées de structures en couches comprenant des couches conductrices et isolantes, p.ex. contacts planaires
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
07
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L29/81
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52
Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
522
comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
528
Configuration de la structure d'interconnexion
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
56
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
488
formées de structures soudées
498
Connexions électriques sur des substrats isolants
Déposants :
주식회사 네패스 NEPES CO., LTD. [KR/KR]; 충청북도 음성군 삼성면 금일로965번길 105 105, Geumil-ro 965beon-gil, Samseong-myeon Eumseong-gun Chungcheongbuk-do 27651, KR
Inventeurs :
권용태 KWON, Yong Tae; KR
이응주 LEE, Eung Ju; KR
여용운 YEO, Yong Woon; KR
박윤묵 PARK, Yun Mook; KR
김효영 KIM, Hyo Young; KR
이준규 LEE, Jun Kyu; KR
천석휘 CHEON, Seok Hwi; KR
Mandataire :
특허법인 이상 E-SANG PATENT & TRADEMARK LAW FIRM; 서울시 서초구 바우뫼로 188, 3층 3F., 188, Baumoe-ro Seocho-gu Seoul 06747, KR
Données relatives à la priorité :
10-2017-009891104.08.2017KR
10-2017-012626328.09.2017KR
10-2017-012633428.09.2017KR
10-2017-012639828.09.2017KR
10-2018-008171713.07.2018KR
Titre (EN) CHIP PACKAGE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) BOÎTIER DE PUCE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(KO) 칩 패키지 및 그 제조방법
Abrégé :
(EN) Disclosed are a chip package capable of improving the strength of a package and simplifying a manufacturing process and a manufacturing method therefor. This invention may improve the durability of the package by further forming a reinforcing layer on a chip by using an adhesive layer and molding the chip and the reinforcing layer so as to be integrated by using a molding layer. Also, the strength of the package may be improved by having a structure in which solder balls are formed between a base substrate and a re-wiring layer and integrated with the molding layer, and a wiring layer may be formed directly on the molding layer by using polyimide (PI) as the molding layer, without using a separate insulating layer formed on the molding layer as in the conventional art.
(FR) L'invention concerne un boîtier de puce susceptible d'améliorer la résistance d'un boîtier et de simplifier un processus de fabrication et son procédé de fabrication. La présente invention peut améliorer la durabilité du boîtier en formant en outre une couche de renforcement sur une puce en utilisant une couche adhésive et en moulant la puce et la couche de renforcement de façon à être intégrées à l'aide d'une couche de moulage. En outre, la résistance du boîtier peut être améliorée en ayant une structure dans laquelle des billes de soudure sont formées entre un substrat de base et une couche de recâblage et intégrées à la couche de moulage et une couche de câblage peut être formée directement sur la couche de moulage en utilisant du polyimide (PI) en tant que couche de moulage, sans utiliser une couche isolante séparée formée sur la couche de moulage comme dans l'état de la technique classique.
(KO) 패키지의 강도를 향상시키고, 제조 공정을 단순화할 수 있는 칩 패키지 및 이의 제조방법이 개시된다. 이는 칩 상에 접착층을 이용하여 보강층을 추가로 형성하고, 칩과 보강층을 몰딩층을 이용하여 일체화하도록 몰딩함으로써 패키지의 내구성을 향상시킬 수 있다. 또한, 베이스 기판과 재배선층 사이에 솔더볼을 형성하여 몰딩층으로 일체화하는 구조를 취함으로써 패키지의 강도를 향상시킬 수 있으며, 몰딩층으로 폴리이미드(PI)를 사용함으로써 종래와 같이 몰딩층 상에 형성된 별도의 절연층을 소모하지 않고 몰딩층 상에 바로 배선층을 형성할 수 있다.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)