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1. (WO2019027268) COLONNE DE MATÉRIAU PIÉZOÉLECTRIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2019/027268 N° de la demande internationale : PCT/KR2018/008779
Date de publication : 07.02.2019 Date de dépôt international : 02.08.2018
CIB :
H01L 41/333 (2013.01) ,H01L 41/39 (2013.01) ,H01L 41/187 (2006.01) ,H01L 21/56 (2006.01) ,H01L 41/43 (2013.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41
Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
22
Procédés ou appareils spécialement adaptés à l'assemblage, la fabrication ou au traitement de dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs, ou de leurs parties constitutives
33
Mise en forme ou usinage de corps piézo-électriques ou électrostrictifs
333
par moulage ou extrusion
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41
Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
22
Procédés ou appareils spécialement adaptés à l'assemblage, la fabrication ou au traitement de dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs, ou de leurs parties constitutives
35
Formation de matériaux piézo-électriques ou électrostrictifs
39
Matériaux inorganiques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41
Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
16
Emploi de matériaux spécifiés
18
pour des éléments piézo-électriques ou électrostrictifs
187
Compositions céramiques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
56
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41
Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
22
Procédés ou appareils spécialement adaptés à l'assemblage, la fabrication ou au traitement de dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs, ou de leurs parties constitutives
35
Formation de matériaux piézo-électriques ou électrostrictifs
39
Matériaux inorganiques
43
par frittage
Déposants :
㈜포인트엔지니어링 POINT ENGINEERING CO., LTD. [KR/KR]; 충청남도 아산시 둔포면 아산밸리로 89 89, Asanvalley-ro, Dunpo-myeon Asan-si Chungcheongnam-do 31409, KR
Inventeurs :
김경국 KIM, Kyoung Kook; KR
김시원 KIM, Si Won; KR
노범래 NOH, Beom Rae; KR
조지연 JO, Ji Yeon; KR
최희정 CHOI, Hee Jung; KR
추은경 CHU, Eun Kyung; KR
안범모 AHN, Bum Mo; KR
박승호 PARK, Seung Ho; KR
Mandataire :
최광석 CHOI, Kwang Seok; KR
Données relatives à la priorité :
10-2017-009919004.08.2017KR
10-2017-009919704.08.2017KR
Titre (EN) PIEZOELECTRIC MATERIAL COLUMN AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) COLONNE DE MATÉRIAU PIÉZOÉLECTRIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(KO) 압전 소재 기둥 및 그 제조방법
Abrégé :
(EN) The present invention relates to: a piezoelectric material column characterized in that the sintering density at one end portion of a sintered piezoelectric material column is higher than the sintering density at the other end portion thereof; and a piezoelectric material column manufacturing method comprising a mold preparation step of preparing a mold having a plurality of filling holes, a filling step of filling, by means of high gas spray pressure, the filling holes of the mold from the bottom surfaces thereof with particles of a piezoelectric material, and a sintering step of quickly and thermally treating the piezoelectric material filled in the filling holes of the mold and sintering the same.
(FR) La présente invention concerne : une colonne de matériau piézoélectrique caractérisée en ce que la densité de frittage au niveau d'une première partie d'extrémité d'une colonne de matériau piézoélectrique fritté est supérieure à la densité de frittage au niveau de son autre partie d'extrémité ; et un procédé de fabrication de colonne de matériau piézoélectrique comprenant une étape de préparation de moule consistant à préparer un moule ayant une pluralité de trous de remplissage, une étape de remplissage consistant à remplir, au moyen d'une haute pression de pulvérisation de gaz, les trous de remplissage du moule à partir de ses surfaces inférieures avec des particules d'un matériau piézoélectrique, et une étape de frittage consistant à traiter rapidement et thermiquement le matériau piézoélectrique remplissant les trous de remplissage du moule et à le fritter.
(KO) 본 발명은 소결된 압전 소재 기둥의 일측 단부에서의 소결밀도가 타측 단부에서의 소결밀도보다 높은 것을 특징으로 하는 압전 소재 기둥 및 복수개의 충진홀이 구비된 몰드를 준비하는 몰드 준비 단계, 고압의 가스 분사압으로 압전 소재의 입자를 상기 몰드의 충진홀의 바닥면에서부터 충진하는 충진 단계 및 상기 몰드의 충진홀에 충진된 상기 압전 소재를 급속 열처리하여 소결하는 소결 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 압전 소재 기둥의 제조 방법에 관한 것이다.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)