Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2019027192) BOÎTIER DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF DE SOURCE DE LUMIÈRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2019/027192 N° de la demande internationale : PCT/KR2018/008583
Date de publication : 07.02.2019 Date de dépôt international : 27.07.2018
CIB :
H01L 33/48 (2010.01) ,H01L 33/40 (2010.01) ,H01L 33/20 (2010.01) ,H01L 33/10 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
36
caractérisés par les électrodes
40
Matériaux
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
20
ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
10
ayant une structure réfléchissante, p.ex. réflecteur de Bragg en semi-conducteur
Déposants :
엘지이노텍 주식회사 LG INNOTEK CO., LTD. [KR/KR]; 서울시 중구 후암로 98 98, Huam-ro Jung-gu Seoul 04637, KR
Inventeurs :
김기석 KIM, Ki Seok; KR
박희정 PARK, Hee Jeong; KR
송준오 SONG, June O; KR
임창만 LIM, Chang Man; KR
Mandataire :
허용록 HAW, Yong Noke; KR
Données relatives à la priorité :
10-2017-009914604.08.2017KR
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGE AND LIGHT SOURCE DEVICE
(FR) BOÎTIER DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF DE SOURCE DE LUMIÈRE
(KO) 반도체 소자 패키지 및 광원 장치
Abrégé :
(EN) A semiconductor device package provided in an embodiment comprises: a first and a second frame disposed to be spaced apart from each other; a body disposed between the first and the second frame; and a semiconductor device disposed on the first and the second frame and comprising a semiconductor layer and a first and a second electrode arranged on the semiconductor layer, wherein the first and the second frame comprise a first metal layer having multiple pores, and the first metal layer of the first and the second frame may comprise coupling parts in areas where the first metal layer overlaps the first and the second electrode, respectively.
(FR) Un boîtier de dispositif à semi-conducteur selon un mode de réalisation de la présente invention comprend : un premier et un second cadre disposés de façon à être espacés l'un de l'autre ; un corps disposé entre le premier et le second cadre ; et un dispositif à semi-conducteur qui est disposé sur le premier et le second cadre et qui comprend une couche semi-conductrice et une première et une seconde électrode disposées sur la couche semi-conductrice, le premier et le second cadre comprenant une première couche métallique ayant de multiples pores, et la première couche métallique du premier et du second cadre pouvant comprendre des parties de couplage dans des zones où la première couche métallique chevauche la première et la seconde électrode, respectivement.
(KO) 실시 예에 개시된 반도체 소자 패키지는, 서로 이격되어 배치되는 제1 및 제2 프레임; 상기 제1 및 제2 프레임 사이에 배치되는 몸체; 및 상기 제1 및 제2 프레임 상에 배치되며, 반도체층, 상기 반도체층 상에 배치되는 제1 및 제2 전극을 포함하는 반도체 소자; 를 포함하고, 상기 제1 및 제2 프레임은 다수의 기공을 갖는 제1 금속층을 포함하며, 상기 제1 및 제2 프레임의 제1 금속층은 상기 제1 및 제2 전극과 중첩하는 각각의 영역에 결합부를 포함할 수 있다.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)