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1. (WO2019027181) COMPOSITION DE RÉSINE PHOTOSENSIBLE DE TYPE POSITIF, MOTIF FABRIQUÉ À PARTIR DE CETTE DERNIÈRE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MOTIF
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N° de publication : WO/2019/027181 N° de la demande internationale : PCT/KR2018/008431
Date de publication : 07.02.2019 Date de dépôt international : 25.07.2018
CIB :
G03F 7/039 (2006.01) ,G03F 7/033 (2006.01) ,G03F 7/027 (2006.01) ,G03F 7/004 (2006.01) ,G03F 7/00 (2006.01)
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
039
Composés macromoléculaires photodégradables, p.ex. réserves positives sensibles aux électrons
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
027
Composés photopolymérisables non macromoléculaires contenant des doubles liaisons carbone-carbone, p.ex. composés éthyléniques
032
avec des liants
033
les liants étant des polymères obtenus par des réactions faisant intervenir uniquement des liaisons non saturées carbone-carbone, p.ex. polymères vinyliques
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
027
Composés photopolymérisables non macromoléculaires contenant des doubles liaisons carbone-carbone, p.ex. composés éthyléniques
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
04
Chromates
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
Déposants :
주식회사 엘지화학 LG CHEM, LTD. [KR/KR]; 서울시 영등포구 여의대로 128 128,Yeoui-daero Yeongdeungpo-gu Seoul 07336, KR
Inventeurs :
임민영 LIM, Min Young; KR
이태섭 LEE, Tae Seob; KR
김지혜 KIM, Ji Hye; KR
Mandataire :
유미특허법인 YOU ME PATENT AND LAW FIRM; 서울시 강남구 테헤란로 115 115 Teheran-ro Gangnam-gu Seoul 06134, KR
Données relatives à la priorité :
10-2017-009728031.07.2017KR
Titre (EN) POSITIVE TYPE PHOTORESIST COMPOSITION, PATTERN MANUFACTURED THEREFROM, AND METHOD FOR MANUFACTURING PATTERN
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE PHOTOSENSIBLE DE TYPE POSITIF, MOTIF FABRIQUÉ À PARTIR DE CETTE DERNIÈRE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MOTIF
(KO) 포지티브형 포토레지스트 조성물, 이로부터 제조되는 패턴, 및 패턴 제조방법
Abrégé :
(EN) The present invention is to provide a positive type photoresist composition having excellent storage stability, sensitivity, developing property, resistance to a plating liquid, and heat resistance. More specifically, an oligomer-type particular dissolution inhibitor, which has the same repeating unit structure as a resin contained in the photoresist composition, is applied to the composition.
(FR) La présente invention concerne une composition de résine photosensible de type positif présentant une excellente stabilité au stockage, une sensibilité, une propriété de développement, une résistance à un liquide de placage et une résistance à la chaleur. Plus spécifiquement, un inhibiteur de dissolution particulier de type oligomère, présentant la même structure unitaire de répétition qu'une résine contenue dans la composition de résine photosensible, est appliqué à la composition.
(KO) 본 발명은 저장 안정성, 감도, 현상성, 도금액 내성 및 내열성이 우수한 포지티브형 포토레지스트 조성물을 제공하기 위한 것이다. 보다 상세하게는, 포토레지스트 조성물 내에 포함되는 수지와 동일한 반복 단위 구조를 가지는, 올리고머 형태의 특정 용해 억제제를 상기 조성물에 적용한다.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)