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1. (WO2019027174) FEUILLE DE CUIVRE RÉSISTANT AU PLISSEMENT , ÉLECTRODE LA COMPRENANT, BATTERIE RECHARGEABLE LA COMPRENANT ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2019/027174 N° de la demande internationale : PCT/KR2018/008399
Date de publication : 07.02.2019 Date de dépôt international : 25.07.2018
CIB :
C25D 1/04 (2006.01) ,C25D 3/38 (2006.01) ,C25D 21/06 (2006.01) ,C25D 5/34 (2006.01) ,C25D 5/48 (2006.01) ,H01M 4/66 (2006.01) ,H01M 4/13 (2010.01) ,H01M 10/052 (2010.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
25
PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES; APPAREILLAGES À CET EFFET
D
PROCÉDÉS POUR LA PRODUCTION ÉLECTROLYTIQUE OU ÉLECTROPHORÉTIQUE DE REVÊTEMENTS; GALVANOPLASTIE; JONCTION DE PIÈCES PAR ÉLECTROLYSE; APPAREILLAGES À CET EFFET
1
Galvanoplastie
04
Fils; Bandes; Feuilles
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
25
PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES; APPAREILLAGES À CET EFFET
D
PROCÉDÉS POUR LA PRODUCTION ÉLECTROLYTIQUE OU ÉLECTROPHORÉTIQUE DE REVÊTEMENTS; GALVANOPLASTIE; JONCTION DE PIÈCES PAR ÉLECTROLYSE; APPAREILLAGES À CET EFFET
3
Dépôts de métaux par voie électrolytique; Bains utilisés
02
à partir de solutions
38
de cuivre
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
25
PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES; APPAREILLAGES À CET EFFET
D
PROCÉDÉS POUR LA PRODUCTION ÉLECTROLYTIQUE OU ÉLECTROPHORÉTIQUE DE REVÊTEMENTS; GALVANOPLASTIE; JONCTION DE PIÈCES PAR ÉLECTROLYSE; APPAREILLAGES À CET EFFET
21
Procédés pour l'entretien ou la conduite des cellules pour revêtement électrolytique
06
Filtration
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
25
PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES; APPAREILLAGES À CET EFFET
D
PROCÉDÉS POUR LA PRODUCTION ÉLECTROLYTIQUE OU ÉLECTROPHORÉTIQUE DE REVÊTEMENTS; GALVANOPLASTIE; JONCTION DE PIÈCES PAR ÉLECTROLYSE; APPAREILLAGES À CET EFFET
5
Dépôts de métaux par voie électrolytique caractérisés par le procédé; Prétraitement ou post-traitement des pièces
34
Prétraitement des surfaces métalliques à revêtir de métaux par voie électrolytique
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
25
PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES; APPAREILLAGES À CET EFFET
D
PROCÉDÉS POUR LA PRODUCTION ÉLECTROLYTIQUE OU ÉLECTROPHORÉTIQUE DE REVÊTEMENTS; GALVANOPLASTIE; JONCTION DE PIÈCES PAR ÉLECTROLYSE; APPAREILLAGES À CET EFFET
5
Dépôts de métaux par voie électrolytique caractérisés par le procédé; Prétraitement ou post-traitement des pièces
48
Post-traitement des surfaces revêtues de métaux par voie électrolytique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
M
PROCÉDÉS OU MOYENS POUR LA CONVERSION DIRECTE DE L'ÉNERGIE CHIMIQUE EN ÉNERGIE ÉLECTRIQUE, p.ex. BATTERIES
4
Electrodes
02
Electrodes composées d'un ou comprenant un matériau actif
64
Supports ou collecteurs
66
Emploi de matériaux spécifiés
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
M
PROCÉDÉS OU MOYENS POUR LA CONVERSION DIRECTE DE L'ÉNERGIE CHIMIQUE EN ÉNERGIE ÉLECTRIQUE, p.ex. BATTERIES
4
Electrodes
02
Electrodes composées d'un ou comprenant un matériau actif
13
Électrodes pour accumulateurs à électrolyte non aqueux, p.ex. pour accumulateurs au lithium; Leurs procédés de fabrication
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
M
PROCÉDÉS OU MOYENS POUR LA CONVERSION DIRECTE DE L'ÉNERGIE CHIMIQUE EN ÉNERGIE ÉLECTRIQUE, p.ex. BATTERIES
10
Eléments secondaires; Leur fabrication
05
Accumulateurs à électrolyte non aqueux
052
Accumulateurs au lithium
Déposants :
케이씨에프테크놀로지스 주식회사 KCF TECHNOLOGIES CO., LTD. [KR/KR]; 경기도 안양시 동안구 엘에스로 116번길 39 39, LS-ro 116beon-gil, Dongan-gu, Anyang-si, Gyeonggi-do 14118, KR
Inventeurs :
김선화 JIN, Shan Hua; KR
이안나 LEE, An Na; KR
김승민 KIM, Seung Min; KR
Mandataire :
특허법인 천문 ASTRAN INT'L IP GROUP; 서울시 강남구 역삼로 233, 5층 (역삼동, 신성빌딩) (ShinSung Building, Yeoksam-dong) 5th Floor, 233, Yeoksam-ro, Gangnam-gu, Seoul 06225, KR
Données relatives à la priorité :
10-2017-009666431.07.2017KR
Titre (EN) ANTI-CREASING COPPER FOIL, ELECTRODE COMPRISING SAME, SECONDARY BATTERY COMPRISING SAME, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) FEUILLE DE CUIVRE RÉSISTANT AU PLISSEMENT , ÉLECTRODE LA COMPRENANT, BATTERIE RECHARGEABLE LA COMPRENANT ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(KO) 주름 발생이 방지된 동박, 그것을 포함하는 전극, 그것을 포함하는 이차전지, 및 그것의 제조방법
Abrégé :
(EN) An embodiment of the present invention provides a copper foil, which comprises a copper layer having a matte surface and a shiny surface and an anti-rusting film disposed on the copper layer and has a residual stress of 0.5-25 Mpa based on an absolute value, the copper layer having crystalline faces, wherein in the sum of texture coefficients (TCs) of (111) face, (200) face, (220) face, and (311) face, which are the crystalline faces of the copper layer, the proportion [TCR(220)] of the texture coefficient of the (220) face [TC(220)] is 5-30%.
(FR) Selon un mode de réalisation, la présente invention concerne une feuille de cuivre, qui comprend une couche de cuivre ayant une surface mate et une surface brillante et un film anti-rouille disposé sur la couche de cuivre et présentant une contrainte résiduelle de 0,5 à 25 Mpa sur la base d'une valeur absolue, la couche de cuivre ayant des faces cristallines. Dans la somme des coefficients de texture (TC) de la face (111), de la face (200), de la face (220), et de la face (311), qui sont les faces cristallines de la couche de cuivre, la proportion [TCR (220)] du coefficient de texture de la face (220)] va de 5 à 30 %.
(KO) 본 발명의 일 실시예는, 매트면 및 샤이니면을 갖는 구리층 및 상기 구리층 상에 배치된 방청막을 포함하고, 절대값 기준으로 0.5 내지 25 Mpa의 잔류응력(residual stress)을 가지며, 상기 구리층은 결정면을 가지며, 상기 구리층의 결정면인 (111)면, (200)면, (220)면 및 (311)면의 집합조직계수(Texture coefficient, TC)의 합 중 (220)면의 집합조직계수[TC(220)]가 차지하는 비율[TCR(220)]이 5 내지 30%인 동박을 제공한다.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)