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1. (WO2019027129) PROCÉDÉ DE GRAVURE AU PLASMA UTILISANT UN MICROMOTIF IMPRIMÉ
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N° de publication : WO/2019/027129 N° de la demande internationale : PCT/KR2018/005616
Date de publication : 07.02.2019 Date de dépôt international : 16.05.2018
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01) ,G03F 7/00 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3065
Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027
Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
Déposants :
주식회사 기가레인 GIGALANE CO., LTD. [KR/KR]; 경기도 화성시 삼성1로5길 46 (석우동) (Seoku-dong)46, Samsung 1-ro 5-gil Hwaseong-si Gyeonggi-do 18449, KR
주식회사 파버나인코리아 PAVONINEKOREA, INC. [KR/KR]; 인천시 연수구 갯벌로 53(송도동) (Songdo-dong)53, Gaetbeol-ro, Yeonsu-gu Incheon 21999, KR
Inventeurs :
이성중 LEE, Sung Jung; KR
김민중 KIM, Min Jung; KR
구자붕 GU, Ja Bung; KR
권상민 KWON, Sang Min; KR
Données relatives à la priorité :
10-2017-009763101.08.2017KR
Titre (EN) PLASMA ETCHING METHOD USING IMPRINTED MICROPATTERN
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE AU PLASMA UTILISANT UN MICROMOTIF IMPRIMÉ
(KO) 임프린트된 미세 패턴을 이용한 플라즈마 에칭 방법
Abrégé :
(EN) The present invention provides a plasma etching method using an imprinted micropattern, the method comprising the steps of: applying an ultraviolet resin to the upper surface of a metal layer formed on a glass substrate, forming a micropattern on the ultraviolet resin through an imprinting process of pressing a micropattern master, and then irradiating the micropattern with ultraviolet light to cure the micropattern; performing a slope deposition process on one side surface and the upper surface of the cured micropattern to form a micropattern reinforcing part thereon; performing a first plasma etching process to remove the ultraviolet resin in an area where the micropattern reinforcing part is not formed to expose the micropattern in the vertical direction; performing a second plasma etching process to remove a metal layer in an area where the metal layer is exposed in the vertical direction; and removing the micropattern and the micropattern reinforcing part remaining on the metal layer from which the vertically exposed area has been removed.
(FR) La présente invention concerne un procédé de gravure au plasma utilisant un micromotif imprimé, le procédé comprenant les étapes consistant à: appliquer une résine ultraviolette sur la surface supérieure d'une couche métallique formée sur un substrat de verre, former un micromotif sur la résine ultraviolette par l'intermédiaire d'un processus d'impression consistant à presser un modèle de micromotif, puis irradier le micromotif avec une lumière ultraviolette pour durcir le micromotif; réaliser un processus de dépôt en pente sur une surface latérale et la surface supérieure du micromotif durci pour former une partie de renforcement de micromotif sur celle-ci; réaliser un premier processus de gravure au plasma pour retirer la résine ultraviolette dans une zone où la partie de renforcement de micromotif n'est pas formée pour exposer le micromotif dans la direction verticale; réaliser un second processus de gravure au plasma pour retirer une couche métallique dans une zone où la couche métallique est exposée dans la direction verticale; et retirer le micromotif et la partie de renforcement de micromotif restant sur la couche métallique à partir de laquelle la zone exposée verticalement a été retirée.
(KO) 본 발명은 유리 기판 상에 형성된 금속층의 상면에 자외선 레진을 도포하고 미세 패턴 마스터를 가압하는 임프린팅 공정을 수행하여 상기 자외선 레진에 미세 패턴을 형성한 후에 자외선을 조사하여 상기 미세 패턴을 경화시키는 단계, 상기 경화된 미세 패턴의 일 측면과 상면에 경사 증착 공정을 수행하여 미세 패턴 강화부를 형성하는 단계, 제 1 플라즈마 에칭 공정을 수행하여 상기 미세 패턴 중에서 상기 미세 패턴 강화부가 형성되지 않아 수직 방향으로 노출되어 있는 영역의 자외선 레진을 제거하는 단계, 제 2 플라즈마 에칭 공정을 수행하여 상기 금속층 중에서 수직 방향으로 노출되어 있는 영역의 금속층을 제거하는 단계 및 상기 수직방향으로 노출된 영역이 제거된 금속층의 상부에 잔존하는 미세 패턴 및 미세 패턴 강화부를 제거하는 단계를 포함하는 임프린트된 미세 패턴을 이용한 플라즈마 에칭 방법을 제공한다.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)