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1. (WO2019026975) PROCÉDÉ D'ASSEMBLAGE DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2019/026975 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/028924
Date de publication : 07.02.2019 Date de dépôt international : 01.08.2018
CIB :
H01L 23/02 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
02
Conteneurs; Scellements
Déposants :
SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC. [JP/JP]; 1, Kanai-cho, Sakae-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2440845, JP
Inventeurs :
INOUE Shingo; JP
Mandataire :
HASEGAWA Yoshiki; JP
KUROKI Yoshiki; JP
TAKAGI Kunio; JP
Données relatives à la priorité :
2017-15003502.08.2017JP
Titre (EN) PROCESS OF ASSEMBLING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ D'ASSEMBLAGE DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé :
(EN) A process of assembling a semiconductor device is disclosed. The process includes steps of arraying metal bases on a carrier; applying sintered metal paste simultaneously onto the bases; disposing a substrate simultaneously onto the sintered metal paste where the substrate includes side walls corresponding to the bases and a wiring layer common the bases; and volatilizing solvent contained in the sintered metal paste.
(FR) L'invention concerne un procédé d'assemblage d'un dispositif à semi-conducteur. Le procédé comprend des étapes de mise en réseau de bases métalliques sur un support; appliquer simultanément une pâte métallique frittée sur les bases; disposer un substrat simultanément sur la pâte métallique frittée, le substrat comprenant des parois latérales correspondant aux bases et une couche de câblage commune aux bases; et volatiliser le solvant contenu dans la pâte métallique frittée.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)