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1. (WO2019026955) CIBLE DE PULVÉRISATION, PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM D’OXYDE SEMI-CONDUCTEUR, ET PLAQUE DE SUPPORT
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N° de publication : WO/2019/026955 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/028843
Date de publication : 07.02.2019 Date de dépôt international : 01.08.2018
CIB :
C23C 14/34 (2006.01) ,C04B 35/453 (2006.01) ,H01L 21/363 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22
caractérisé par le procédé de revêtement
34
Pulvérisation cathodique
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
04
CIMENTS; BÉTON; PIERRE ARTIFICIELLE; CÉRAMIQUES; RÉFRACTAIRES
B
CHAUX; MAGNÉSIE; SCORIES; CIMENTS; LEURS COMPOSITIONS, p.ex. MORTIERS, BÉTON OU MATÉRIAUX DE CONSTRUCTION SIMILAIRES; PIERRE ARTIFICIELLE; CÉRAMIQUES; RÉFRACTAIRES; TRAITEMENT DE LA PIERRE NATURELLE
35
Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur composition; Compositions céramiques; Traitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques
01
à base d'oxydes
453
à base d'oxydes de zinc, d'étain ou de bismuth ou de leurs solutions solides avec d'autres oxydes, p.ex. zincates, stannates ou bismuthates
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
34
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs non couverts par H01L21/06, H01L21/16 et H01L21/18156
36
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
363
en utilisant un dépôt physique, p.ex. dépôt sous vide, pulvérisation
Déposants :
出光興産株式会社 IDEMITSU KOSAN CO.,LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内三丁目1番1号 1-1, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008321, JP
Inventeurs :
海上 暁 KAIJO Akira; JP
Mandataire :
特許業務法人樹之下知的財産事務所 KINOSHITA & ASSOCIATES; 東京都杉並区荻窪五丁目26番13号 3階 3rd Floor, 26-13, Ogikubo 5-chome, Suginami-ku, Tokyo 1670051, JP
Données relatives à la priorité :
2017-14939901.08.2017JP
Titre (EN) SPUTTERING TARGET, METHOD FOR FORMING OXIDE SEMICONDUCTOR FILM, AND BACKING PLATE
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION, PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM D’OXYDE SEMI-CONDUCTEUR, ET PLAQUE DE SUPPORT
(JA) スパッタリングターゲット、酸化物半導体膜の成膜方法、およびバッキングプレート
Abrégé :
(EN) Provided is a sputtering target (1) wherein a plate-shaped oxide sintered body (3) has a plurality of regions disposed in the Y-direction; the plurality of regions have end regions (7A, 7B), each of which is a region containing an end in the Y-direction, and inner regions (9A, 9B), each of which is a second region to the inside counting from the end in the Y-direction; and, when defining t1 as the plate thickness of the end region (7A, 7B), L1 as the width in the Y-direction of the end region (7A, 7B), and t2 as the plate thickness of the inner region (9A, 9B), t1, L1, and t2 satisfy formulas (1) to (4). (1): t2 > t1 (2): t1 (mm) > L1 (mm) × 0.1 + 4 (3): t1 (mm) < 9 (4): 10 < L1 (mm) < 35
(FR) La présente invention concerne une cible de pulvérisation cathodique (1) dans laquelle un corps fritté d’oxyde en forme de plaque (3) comporte une pluralité de régions disposées dans la direction Y ; la pluralité de régions ont des régions d’extrémité (7A, 7B), dont chacune est une région contenant une extrémité dans la direction Y, et des régions internes (9A, 9B), dont chacune est une deuxième région vers l’intérieur en comptant depuis l’extrémité dans la direction Y ; et, lors de la définition de t1 comme étant l’épaisseur de plaque de la région d’extrémité (7A, 7B), L1 comme étant la largeur dans la direction Y de la région d’extrémité (7A, 7B), et t2 comme étant l’épaisseur de plaque de la région interne (9A, 9B), t1, L1, et t2 satisfont aux formules (1) à (4). (1): t2 > t1 (2) : t1 (mm) > L1 (mm) × 0,1 + 4 (3) : t1 (mm) < 9 (4) : 10 < L1 (mm) < 35
(JA) 板状の酸化物焼結体(3)はY方向に配列された複数の領域を有し、複数の領域は、Y方向における端部を含む領域である端部領域(7A、7B)と、端部からY方向に向けて数えて内側に2番目の領域である内側領域(9A、9B)を有し、端部領域(7A、7B)の板厚をt、端部領域(7A、7B)のY方向の幅をL、内側領域(9A、9B)の板厚をtとした場合、t、L、tが、以下の式(1)乃至式(4)を満たす、スパッタリングターゲット(1)。 t>t ・・・(1) t(mm)>L(mm)×0.1+4・・・(2) t(mm)<9 ・・・(3) 10<L(mm)<35 ・・・(4)
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)