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1. (WO2019026871) COMPACT FRITTÉ D'ALUMINE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET ÉLÉMENT POUR APPAREIL DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2019/026871 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/028547
Date de publication : 07.02.2019 Date de dépôt international : 31.07.2018
CIB :
C04B 35/117 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
04
CIMENTS; BÉTON; PIERRE ARTIFICIELLE; CÉRAMIQUES; RÉFRACTAIRES
B
CHAUX; MAGNÉSIE; SCORIES; CIMENTS; LEURS COMPOSITIONS, p.ex. MORTIERS, BÉTON OU MATÉRIAUX DE CONSTRUCTION SIMILAIRES; PIERRE ARTIFICIELLE; CÉRAMIQUES; RÉFRACTAIRES; TRAITEMENT DE LA PIERRE NATURELLE
35
Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur composition; Compositions céramiques; Traitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques
01
à base d'oxydes
10
à base d'oxyde d'aluminium
111
Céramiques fines
117
Composites
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3065
Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
Déposants :
株式会社フェローテックセラミックス FERROTEC CERAMICS CORPORATION [JP/JP]; 東京都中央区日本橋二丁目3番4号 3-4, Nihonbashi 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1030027, JP
Inventeurs :
衛藤 俊一 ETO, Shunichi; JP
福尾 長延 FUKUO, Osanobu; JP
齋藤 ▲精▼孝 SAITOU, Kiyotaka; JP
Mandataire :
特許業務法人ブライタス BRIGHTAS IP ATTORNEYS; 大阪府大阪市北区曽根崎2丁目5番10号 2-5-10, Sonezaki, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300057, JP
Données relatives à la priorité :
2017-14881501.08.2017JP
Titre (EN) ALUMINA SINTERED COMPACT, METHOD OF MANUFACTURING SAME, AND COMPONENT FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS
(FR) COMPACT FRITTÉ D'ALUMINE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET ÉLÉMENT POUR APPAREIL DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) アルミナ焼結体およびその製造方法、ならびに、半導体製造装置用部品
Abrégé :
(EN) Provided is an alumina sintered compact containing, in terms of oxide, 0.01–1.0 mass% of at least one selected from Ta, Nb, and V. The alumina sintered compact may also contain, in terms of oxide, 0.01–1.0 mass% of Mg. The alumina sintered compact especially preferably has an alumina purity of at least 99%. As a result, an alumina sintered compact having lower dielectric loss than in the prior art can be inexpensively obtained.
(FR) L'invention concerne un compact fritté d'alumine contenant, en termes d'oxyde, 0,01 à 1,0 % en masse d'au moins un élément choisi parmi le Ta, le Nb et le V. Le compact fritté d'alumine peut également contenir, en termes d'oxyde, 0,01 à 1,0 % en masse de Mg. Le compact fritté en alumine présente notamment, de préférence, une pureté d'alumine d'au moins 99 %. En conséquence, un compact fritté d'alumine ayant une perte diélectrique plus faible que dans l'état de la technique peut être obtenu de manière peu coûteuse.
(JA) Ta、NbおよびVから選択される一種以上を、酸化物換算で0.01~1.0質量%含む、アルミナ焼結体。このアルミナ焼結体は、さらに、Mgを、酸化物換算で0.01~1.0質量%含んでもよい。このアルミナ焼結体は、特に、アルミナ純度が99%以上であることが好ましい。これにより、従来技術と比較して低い誘電損失を有するアルミナ焼結体を安価に得ることができる。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)