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1. (WO2019026848) DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
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N° de publication : WO/2019/026848 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/028467
Date de publication : 07.02.2019 Date de dépôt international : 30.07.2018
CIB :
H01L 31/0232 (2014.01) ,G02B 5/22 (2006.01) ,H01L 27/146 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02
Détails
0232
Eléments ou dispositions optiques associés au dispositif
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
B
ÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES
5
Eléments optiques autres que les lentilles
20
Filtres
22
Filtres absorbants
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144
Dispositifs commandés par rayonnement
146
Structures de capteurs d'images
Déposants :
JSR株式会社 JSR CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区東新橋一丁目9番2号 1-9-2, Higashi-shinbashi Minato-ku, Tokyo 1058640, JP
Inventeurs :
三浦 拓也 MIURA Takuya; JP
一戸 大吾 ICHINOHE Daigo; JP
Mandataire :
特許業務法人高橋・林アンドパートナーズ TAKAHASHI, HAYASHI AND PARTNER PATENT ATTORNEYS, INC.; 東京都大田区蒲田5-24-2 損保ジャパン日本興亜蒲田ビル9階 Sonpo Japan Nipponkoa Kamata Building 9F, 5-24-2 Kamata, Ota-ku, Tokyo 1440052, JP
Données relatives à la priorité :
2017-14828731.07.2017JP
Titre (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換装置
Abrégé :
(EN) According to the present invention, a photoelectric conversion device (116) comprises: a photoelectric conversion element (113) that is arranged on a semiconductor substrate (112); and an optical filter (103) that is arranged on the photoelectric conversion element (113). The optical filter (103) comprises: a resin layer (102) that contains a dye having a thermal decomposition initiation temperature of 150°C or higher; and a layer (101) that protects the photoelectric conversion element. The resin layer (102) of the optical filter (103) has a dynamic hardness of from 10 mN/μm2 to 150 mN/μm2 (inclusive).
(FR) Selon la présente invention, un dispositif de conversion photoélectrique (116) comprend : un élément de conversion photoélectrique (113) qui est disposé sur un substrat semi-conducteur (112); et un filtre optique (103) qui est agencé sur l'élément de conversion photoélectrique (113). Le filtre optique (103) comprend : une couche de résine (102) qui contient un colorant ayant une température d'initiation de décomposition thermique de 150 °C au minimum; et une couche (101) qui protège l'élément de conversion photoélectrique. La couche de résine (102) du filtre optique (103) a une dureté dynamique de 10 mN/μm2 à 150 mN/μm2 (inclus).
(JA) 光電変換装置(116)は、半導体基板(112)に設けられた光電変換素子(113)と、光電変換素子(113)上に設けられた光学フィルタ(103)と、を有し、光学フィルタ(103)は、熱分解開始温度が150℃以上の色素を含有する樹脂層(102)と、光電変換素子を保護する層(101)と、を含み、光学フィルタ(103)の樹脂層(102)のダイナミック硬度は、10mN/μm以上150mN/μm以下である。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)