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1. (WO2019026836) MODULE DE PUISSANCE
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N° de publication : WO/2019/026836 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/028425
Date de publication : 07.02.2019 Date de dépôt international : 30.07.2018
CIB :
H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 23/13 (2006.01) ,H01L 23/36 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01) ,H02M 7/48 (2007.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
07
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L29/81
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
12
Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles
13
caractérisés par leur forme
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
34
Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
36
Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
18
les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes H01L27/-H01L51/166
H ÉLECTRICITÉ
02
PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
M
APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALIMENTATION SIMILAIRES; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION
7
Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu; Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif
42
Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité
44
par convertisseurs statiques
48
utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
Déposants :
デンカ株式会社 DENKA COMPANY LIMITED [JP/JP]; 東京都中央区日本橋室町二丁目1番1号 1-1, Nihonbashi-Muromachi 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1038338, JP
Inventeurs :
広津留 秀樹 HIROTSURU Hideki; JP
谷口 佳孝 TANIGUCHI Yoshitaka; JP
市川 恒希 ICHIKAWA Kohki; JP
酒井 篤士 SAKAI Atsushi; JP
Mandataire :
長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki; JP
清水 義憲 SHIMIZU Yoshinori; JP
中塚 岳 NAKATSUKA Takeshi; JP
Données relatives à la priorité :
2017-15188404.08.2017JP
Titre (EN) POWER MODULE
(FR) MODULE DE PUISSANCE
(JA) パワーモジュール
Abrégé :
(EN) A power module 1 comprising a base plate 2, a ceramic insulating substrate 4 joined onto the base plate 2, and a semiconductor element 6 joined onto the ceramic insulating substrate 4, wherein a surface 2b of the base plate 2 on the opposite side from the ceramic insulating substrate 4 has convex warpage 2c, and the linear thermal expansion coefficient α1 (× 10 – 6/K) and the linear thermal expansion coefficient α2 (× 10 – 6/K) during a drop in temperature from 150 to 25˚C satisfy formula (1).
(FR) Selon la présente invention, un module de puissance (1) comprend une plaque de base (2), un substrat isolant céramique (4) assemblé sur la plaque de base (2), et un élément semi-conducteur (6) assemblé sur le substrat isolant céramique (4), une surface (2b) de la plaque de base (2) sur le côté opposé au substrat isolant céramique (4) présentant un gauchissement convexe (2c), et le coefficient de dilatation thermique linéaire α1 (× 10 - 6/K) et le coefficient de dilatation thermique linéaire α2 (× 10 - 6/K) pendant une chute de température de 150 à 25 °C satisfont à la formule (1). Drawing_references_to_be_translated: Nothing to translate
(JA) ベース板2と、ベース板2上に接合されたセラミックス絶縁基板4と、セラミックス絶縁基板4上に接合された半導体素子6と、を備えるパワーモジュールであって、ベース板2のセラミックス絶縁基板4と反対側の面2bが凸状の反り2cを有し、温度150℃から25℃における降温時のベース板2の線熱膨張係数α1(×10-6/K)及びセラミックス絶縁基板4の線熱膨張係数α2(×10-6/K)が下記式(1)を満たす、パワーモジュール1。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)