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1. (WO2019026771) CONDENSATEUR
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N° de publication : WO/2019/026771 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/028129
Date de publication : 07.02.2019 Date de dépôt international : 26.07.2018
CIB :
H01G 4/30 (2006.01) ,H01G 4/33 (2006.01) ,H01L 21/318 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
G
CONDENSATEURS; CONDENSATEURS, REDRESSEURS, DÉTECTEURS, DISPOSITIFS DE COMMUTATION, DISPOSITIFS PHOTOSENSIBLES OU SENSIBLES À LA TEMPÉRATURE, DU TYPE ÉLECTROLYTIQUE
4
Condensateurs fixes; Procédés pour leur fabrication
30
Condensateurs à empilement
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
G
CONDENSATEURS; CONDENSATEURS, REDRESSEURS, DÉTECTEURS, DISPOSITIFS DE COMMUTATION, DISPOSITIFS PHOTOSENSIBLES OU SENSIBLES À LA TEMPÉRATURE, DU TYPE ÉLECTROLYTIQUE
4
Condensateurs fixes; Procédés pour leur fabrication
33
Condensateurs à film mince ou à film épais
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
314
Couches inorganiques
318
composées de nitrures
Déposants :
株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
Inventeurs :
松原 弘 MATSUBARA, Hiroshi; JP
泉谷 淳子 IZUMITANI, Junko; JP
原田 真臣 HARADA, Masatomi; JP
香川 武史 KAGAWA, Takeshi; JP
Mandataire :
稲葉 良幸 INABA, Yoshiyuki; JP
大貫 敏史 ONUKI, Toshifumi; JP
Données relatives à la priorité :
2017-14783831.07.2017JP
Titre (EN) CAPACITOR
(FR) CONDENSATEUR
(JA) キャパシタ
Abrégé :
(EN) Provided is a capacitor which has improved Q value in cases where a silicon nitride film is used as a dielectric film. A capacitor according to one embodiment of the present invention is provided with: a substrate; a lower electrode which is formed on the substrate; a dielectric film which is formed on the substrate or on the lower electrode; and an upper electrode which is formed on the dielectric film. The dielectric film is configured of two or more silicon nitride film layers that have different composition ratios of Si atoms to N atoms from each other; and the composition ratio of Si atoms to N atoms Si/N of the substrate-side or lower electrode-side silicon nitride film layer is higher than the Si/N composition ratio of the upper electrode-side silicon nitride film layer.
(FR) La présente invention concerne un condensateur qui présente une meilleure valeur Q dans les cas où un film de nitrure de silicium est utilisé comme film diélectrique. Un condensateur selon un mode de réalisation de la présente invention comprend : un substrat ; une électrode inférieure qui est formée sur le substrat ; un film diélectrique qui est formé sur le substrat ou sur l'électrode inférieure ; et une électrode supérieure qui est formée sur le film diélectrique. Le film diélectrique est constitué d'au moins deux couches de film de nitrure de silicium qui présentent des rapports de composition différents entre les atomes de silicium (Si) et les atomes d'azote (N) les uns des autres ; et le rapport de composition Si/N entre les atomes de silicium et les atomes d'azote de la couche de film de nitrure de silicium côté substrat ou côté électrode inférieure est supérieur au rapport de composition Si/N de la couche de film de nitrure de silicium côté électrode supérieure.
(JA) 誘電体膜としてシリコン窒化膜を用いた場合において、Q値を向上させたキャパシタを提供する。 本発明の一側面に係るキャパシタは、基板と、基板に形成された下部電極と、前記基板上又は下部電極上に形成された誘電体膜と、誘電体膜上に形成された上部電極と、を備え、誘電体膜はSi原子とN原子の組成比の異なる2層以上のシリコン窒化膜で構成され、かつ、基板側又は下部電極側のシリコン窒化膜層のSi原子とN原子の組成比率Si/Nが上部電極側のシリコン窒化膜層のSi/N組成比率よりも大きい。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)