Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2019026752) COMMUTATEUR HAUTE FRÉQUENCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2019/026752 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/028071
Date de publication : 07.02.2019 Date de dépôt international : 26.07.2018
CIB :
H01L 21/822 (2006.01) ,H01L 27/04 (2006.01) ,H01P 1/15 (2006.01) ,H03K 17/62 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822
le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
P
GUIDES D'ONDES; RÉSONATEURS, LIGNES OU AUTRES DISPOSITIFS DU TYPE GUIDE D'ONDES
1
Dispositifs auxiliaires
10
Dispositifs commutateurs ou interrupteurs
15
utilisant des dispositifs à semi-conducteurs
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
K
TECHNIQUE DE L'IMPULSION
17
Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
51
caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés
56
par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs
60
les dispositifs étant des transistors bipolaires
62
Dispositifs de commutation comportant plusieurs bornes d'entrée et de sortie, p.ex. multiplexeurs, distributeurs
Déposants :
株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
Inventeurs :
関 健太 SEKI Kenta; JP
Mandataire :
特許業務法人 楓国際特許事務所 KAEDE PATENT ATTORNEYS' OFFICE; 大阪府大阪市中央区農人橋1丁目4番34号 1-4-34, Noninbashi, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400011, JP
Données relatives à la priorité :
2017-14875501.08.2017JP
Titre (EN) HIGH-FREQUENCY SWITCH
(FR) COMMUTATEUR HAUTE FRÉQUENCE
(JA) 高周波スイッチ
Abrégé :
(EN) Provided is a high-frequency switch in which the length of a section in which a travel direction of power from an input/output terminal (P251) to a common terminal (P20) and a travel direction of power from the common terminal (P20) to an external connection terminal (P10) are opposite is greater than the length of a section in which a travel direction of power from an input/output terminal (P211) to the common terminal (P20) and a travel direction of power from the common terminal (P20) to the external connection terminal (P10) are opposite. An FET (251) and an FET (211) have a structure such that power transmitted between the drain and source of the FET (251) due to a predetermined input power is greater than power transmitted between the drain and source of the FET (211).
(FR) L'invention concerne un commutateur haute fréquence dans lequel la longueur d'une section, dans laquelle le sens de déplacement du courant électrique à partir d'une borne d'entrée/sortie (P251) vers une borne commune (P20) et le sens de déplacement du courant électrique à partir de la borne commune (P20) vers une borne de connexion externe (P10) sont opposés, est supérieure à la longueur d'une section dans laquelle le sens de déplacement du courant électrique à partir d'une borne d'entrée/sortie (P211) vers la borne commune (P20) et le sens de déplacement du courant électrique à partir de la borne commune (P20) vers la borne de connexion externe (P10) sont opposés. Un TEC (251) et un autre TEC (211) présentent une structure telle que la puissance transmise entre le drain et la source du TEC (251) en raison de l'application d'une puissance d'entrée prédéfinie, est supérieure à la puissance transmise entre le drain et la source du TEC (211).
(JA) 入出力端子(P251)から共通端子(P20)への電力の進行方向と、共通端子(P20)から外部接続端子(P10)への電力の進行方向とが逆方向となる区間の長さは、入出力端子(P211)から共通端子(P20)への電力の進行方向と、共通端子(P20)から外部接続端子(P10)への電力の進行方向とが逆方向となる区間の長さよりも長い。FET(251)とFET(211)は、所定の入力電力によるFET(251)のドレインソース間を伝送する電力がFET(211)のドレインソース間を伝送する電力よりも大きくなる構造を有する。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)