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1. (WO2019026719) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2019/026719 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/027845
Date de publication : 07.02.2019 Date de dépôt international : 25.07.2018
CIB :
H01L 27/146 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144
Dispositifs commandés par rayonnement
146
Structures de capteurs d'images
Déposants :
SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
Inventeurs :
KOBAYASHI Kenji; JP
WAKANO Toshifumi; JP
OTAKE Yusuke; JP
Mandataire :
NISHIKAWA Takashi; JP
INAMOTO Yoshio; JP
Données relatives à la priorité :
2017-15198004.08.2017JP
Titre (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé :
(EN) An imaging device includes a first chip (12). The first chip includes a first pixel (21) and a second pixel (21). The first pixel includes a first anode region (31) and a first cathode region (32), and the second pixel includes a second anode region (31) and a second cathode region (32). The first chip includes a first wiring layer (23). The first wiring layer includes a first anode electrode (37), a first anode via (38) coupled to the first anode electrode (37) and the first anode region (31), and a second anode via (38) coupled to the first anode electrode (37) and the second anode region (31).
(FR) L'invention concerne un dispositif d'imagerie qui comprend une première puce (12). La première puce comprend un premier pixel (21) et un second pixel (21). Le premier pixel comprend une première région d'anode (31) et une première région de cathode (32), et le second pixel comprend une seconde région d'anode (31) et une seconde région de cathode (32). La première puce comprend une première couche de câblage (23). La première couche de câblage comprend une première électrode d'anode (37), un premier trou d'interconnexion d'anode (38) couplé à la première électrode d'anode (37) et à la première région d'anode (31), et un second trou d'interconnexion d'anode (38) couplé à la première électrode d'anode (37) et à la seconde région d'anode (31).
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)