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1. (WO2019026677) COMPOSITION LIQUIDE POUR RÉDUIRE LES DOMMAGES CAUSÉS PAR LE COBALT, L'ALUMINE, LE FILM ISOLANT INTERCOUCHE ET LE NITRURE DE SILICIUM, ET PROCÉDÉ DE LAVAGE L'UTILISANT
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N° de publication : WO/2019/026677 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/027592
Date de publication : 07.02.2019 Date de dépôt international : 24.07.2018
CIB :
H01L 21/304 (2006.01) ,C11D 7/08 (2006.01) ,C11D 7/32 (2006.01) ,C11D 7/50 (2006.01) ,C11D 17/08 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304
Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
11
HUILES, GRAISSES, MATIÈRES GRASSES OU CIRES ANIMALES OU VÉGÉTALES; LEURS ACIDES GRAS; DÉTERGENTS; BOUGIES
D
COMPOSITIONS DÉTERGENTES; EMPLOI D'UNE SUBSTANCE, UTILISÉE SEULE, COMME DÉTERGENT; SAVON OU FABRICATION DU SAVON; SAVONS DE RÉSINE; RÉCUPÉRATION DE LA GLYCÉRINE
7
Compositions détergentes formées essentiellement de composés non tensio-actifs
02
Composés inorganiques
04
solubles dans l'eau
08
Acides
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
11
HUILES, GRAISSES, MATIÈRES GRASSES OU CIRES ANIMALES OU VÉGÉTALES; LEURS ACIDES GRAS; DÉTERGENTS; BOUGIES
D
COMPOSITIONS DÉTERGENTES; EMPLOI D'UNE SUBSTANCE, UTILISÉE SEULE, COMME DÉTERGENT; SAVON OU FABRICATION DU SAVON; SAVONS DE RÉSINE; RÉCUPÉRATION DE LA GLYCÉRINE
7
Compositions détergentes formées essentiellement de composés non tensio-actifs
22
Composés organiques
32
contenant de l'azote
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
11
HUILES, GRAISSES, MATIÈRES GRASSES OU CIRES ANIMALES OU VÉGÉTALES; LEURS ACIDES GRAS; DÉTERGENTS; BOUGIES
D
COMPOSITIONS DÉTERGENTES; EMPLOI D'UNE SUBSTANCE, UTILISÉE SEULE, COMME DÉTERGENT; SAVON OU FABRICATION DU SAVON; SAVONS DE RÉSINE; RÉCUPÉRATION DE LA GLYCÉRINE
7
Compositions détergentes formées essentiellement de composés non tensio-actifs
50
Solvants
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
11
HUILES, GRAISSES, MATIÈRES GRASSES OU CIRES ANIMALES OU VÉGÉTALES; LEURS ACIDES GRAS; DÉTERGENTS; BOUGIES
D
COMPOSITIONS DÉTERGENTES; EMPLOI D'UNE SUBSTANCE, UTILISÉE SEULE, COMME DÉTERGENT; SAVON OU FABRICATION DU SAVON; SAVONS DE RÉSINE; RÉCUPÉRATION DE LA GLYCÉRINE
17
Détergents ou savons caractérisés par leur forme ou leurs propriétés physiques
08
Savon liquide; en capsules
Déposants :
三菱瓦斯化学株式会社 MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目5番2号 5-2, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008324, JP
Inventeurs :
尾家 俊行 OIE Toshiyuki; JP
プトラ プリアンガ プルダナ PUTRA Priangga Perdana; JP
堀田 明伸 HORITA Akinobu; JP
Mandataire :
小林 浩 KOBAYASHI Hiroshi; JP
杉山 共永 SUGIYAMA Tomohisa; JP
田村 恭子 TAMURA Kyoko; JP
鈴木 康仁 SUZUKI Yasuhito; JP
Données relatives à la priorité :
2017-14839631.07.2017JP
Titre (EN) LIQUID COMPOSITION FOR REDUCING DAMAGE OF COBALT, ALUMINA, INTERLAYER INSULATING FILM AND SILICON NITRIDE, AND WASHING METHOD USING SAME
(FR) COMPOSITION LIQUIDE POUR RÉDUIRE LES DOMMAGES CAUSÉS PAR LE COBALT, L'ALUMINE, LE FILM ISOLANT INTERCOUCHE ET LE NITRURE DE SILICIUM, ET PROCÉDÉ DE LAVAGE L'UTILISANT
(JA) コバルト、アルミナ、層間絶縁膜、窒化シリコンのダメージを抑制した組成液及びこれを用いた洗浄方法
Abrégé :
(EN) The present invention relates to: a liquid composition suitable for the washing of a semiconductor element provided with a low-dielectric-constant interlayer insulating film; and a method for washing a semiconductor element. The liquid composition according to the present invention is characterized by containing tetrafluoroboric acid (A) in an amount of 0.01 to 30% by mass or boric acid (B1) and hydrogen fluoride (B2) at a (boric acid)/(hydrogen fluoride) ratio of (0.0001 to 5.0% by mass)/(0.005 to 5.0% by mass) and having a pH value of 0.0 to 4.0. The liquid composition according to the present invention can reduce the damage of a low-dielectric-constant interlayer insulating film, cobalt or a cobalt alloy, alumina, a zirconia-based hard mask and a silicon nitride during the process of producing a semiconductor integrated circuit, and accordingly can be used suitablely for removing dry etching residues occurring on the surface of the semiconductor integrated circuit.
(FR) La présente invention concerne : une composition liquide appropriée pour le lavage d'un élément semi-conducteur comprenant un film isolant intercouche à faible constante diélectrique; et un procédé de lavage d'un élément semi-conducteur. La composition liquide selon la présente invention est caractérisée en ce qu'elle contient de l'acide tétrafluoroborique (A) en une quantité de 0,01 à 30 % en masse ou de l'acide borique (B1) et du fluorure d'hydrogène (B2) à un rapport (acide borique)/ (fluorure d'hydrogène) de (0,0001 à 5,0 % en masse)/ (0,005 à 5,0 % en masse) et ayant une valeur de pH de 0,0 à 4,0. La composition liquide selon la présente invention peut réduire les dommages d'un film isolant intercouche à faible constante diélectrique, de cobalt ou d'un alliage de cobalt, d'alumine, un masque dur à base de zircone et un nitrure de silicium pendant le processus de production d'un circuit intégré à semi-conducteur, et peut par conséquent être utilisé de manière appropriée pour enlever des résidus de gravure sèche se produisant sur la surface du circuit intégré à semi-conducteur.
(JA) 本発明は、低誘電率層間絶縁膜を有する半導体素子の洗浄に適した組成液及び半導体素子の洗浄方法に関する。本発明の組成液は、テトラフルオロホウ酸(A)を0.01~30質量%、又はホウ酸(B1)及びフッ化水素(B2)を(ホウ酸/フッ化水素)=(0.0001~5.0質量%/0.005~5.0質量%)で含有し、pHが0.0~4.0の範囲にあることを特徴とする。本発明の組成液は、半導体集積回路の製造工程において低誘電率層間絶縁膜、コバルトまたはコバルト合金、アルミナ、ジルコニア系ハードマスク、窒化シリコンのダメージを抑制し、半導体集積回路の表面に存在するドライエッチング残渣を除去するために好適に用いられる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)