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1. (WO2019026641) CONDENSATEUR À FILM MINCE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
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N° de publication : WO/2019/026641 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/027209
Date de publication : 07.02.2019 Date de dépôt international : 20.07.2018
CIB :
H01L 21/822 (2006.01) ,H01G 4/30 (2006.01) ,H01G 4/33 (2006.01) ,H01L 27/04 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822
le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
G
CONDENSATEURS; CONDENSATEURS, REDRESSEURS, DÉTECTEURS, DISPOSITIFS DE COMMUTATION, DISPOSITIFS PHOTOSENSIBLES OU SENSIBLES À LA TEMPÉRATURE, DU TYPE ÉLECTROLYTIQUE
4
Condensateurs fixes; Procédés pour leur fabrication
30
Condensateurs à empilement
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
G
CONDENSATEURS; CONDENSATEURS, REDRESSEURS, DÉTECTEURS, DISPOSITIFS DE COMMUTATION, DISPOSITIFS PHOTOSENSIBLES OU SENSIBLES À LA TEMPÉRATURE, DU TYPE ÉLECTROLYTIQUE
4
Condensateurs fixes; Procédés pour leur fabrication
33
Condensateurs à film mince ou à film épais
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
Déposants :
株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
Inventeurs :
香川 武史 KAGAWA, Takeshi; JP
泉谷 淳子 IZUMITANI, Junko; JP
原田 真臣 HARADA, Masatomi; JP
松原 弘 MATSUBARA, Hiroshi; JP
石田 宣博 ISHIDA, Nobuhiro; JP
Mandataire :
稲葉 良幸 INABA, Yoshiyuki; JP
大貫 敏史 ONUKI, Toshifumi; JP
Données relatives à la priorité :
2017-14833031.07.2017JP
Titre (EN) THIN-FILM CAPACITOR AND PRODUCTION METHOD FOR SAME
(FR) CONDENSATEUR À FILM MINCE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 薄膜コンデンサ及びその製造方法
Abrégé :
(EN) A thin-film capacitor (100) comprising: a lower electrode (120); a dielectric film (130); an upper electrode (140); a first protection film (151) that has formed therein a first through-hole (CH11) opening to the upper electrode (140) and a second through-hole (CH12) opening to the lower electrode (120), and that has a first upper surface (150A); a second protection film (152) that has a second upper surface (150B) provided at a higher position than the first upper surface 150A of the first protection film 151; a first terminal electrode (161) that is electrically connected to the upper electrode (140) via the first through-hole (CH11), and that is provided so as to extend at least to the second upper surface (150B) of the second protection film (152); and a second terminal electrode (162) that is electrically connected to the lower electrode (120) via the second through-hole (CH12), and that is provided so as to extend at least to the second upper surface (150B) of the second protection film (152).
(FR) L'invention concerne un condensateur à film mince (100) comprenant : une électrode inférieure (120); un film diélectrique (130); une électrode supérieure (140); un premier film de protection (151) à l’intérieur duquel est formé un premier trou traversant (CH11) s'ouvrant sur l'électrode supérieure (140) et un second trou traversant (CH12) s'ouvrant sur l'électrode inférieure (120), et qui a une première surface supérieure (150A); un second film de protection (152) qui a une seconde surface supérieure (150B) disposée à une position supérieure à la première surface supérieure 150A du premier film de protection 151; une première électrode de borne (161) qui est électroconnectée à l'électrode supérieure (140) par l'intermédiaire du premier trou traversant (CH11), et qui est disposée de façon à s'étendre au moins jusqu'à la seconde surface supérieure (150B) du second film de protection (152); et une seconde électrode de borne (162) qui est électroconnectée à l'électrode inférieure (120) par l'intermédiaire du second trou traversant (CH12), et qui est disposée de façon à s'étendre au moins jusqu'à la seconde surface supérieure (150B) du second film de protection (152).
(JA) 薄膜コンデンサ(100)は、下部電極(120)と、誘電体膜(130)と、上部電極(140)と、上部電極(140)を開口する第1貫通孔(CH11)及び下部電極(120)を開口する第2貫通孔(CH12)がそれぞれ形成され且つ第1上面(150A)を有する第1保護膜(151)と、第1保護膜151の第1上面150Aよりも高い位置にある第2上面(150B)を有する第2保護膜(152)と、第1貫通孔(CH11)を通して上部電極(140)に電気的に接続され、少なくとも第2保護膜(152)の第2上面(150B)に至るように延在して設けられた第1端子電極(161)と、第2貫通孔(CH12)を通して下部電極(120)に電気的に接続され、少なくとも第2保護膜(152)の第2上面(150B)に至るように延在して設けられた第2端子電極(162)とを備えている。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)