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1. (WO2019026478) COMPOSITION POUR TRAITER UN SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT
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N° de publication : WO/2019/026478 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/024333
Date de publication : 07.02.2019 Date de dépôt international : 27.06.2018
CIB :
H01L 21/304 (2006.01) ,B24B 37/00 (2012.01) ,H01L 21/306 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304
Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
24
MEULAGE; POLISSAGE
B
MACHINES, DISPOSITIFS OU PROCÉDÉS POUR MEULER OU POUR POLIR; DRESSAGE OU REMISE EN ÉTAT DES SURFACES ABRASIVES; ALIMENTATION DES MACHINES EN MATÉRIAUX DE MEULAGE, DE POLISSAGE OU DE RODAGE
37
Machines ou dispositifs de rodage; Accessoires
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
Déposants :
JSR株式会社 JSR CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区東新橋一丁目9番2号 9-2, Higashi-shinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058640, JP
Inventeurs :
横井 勝孝 YOKOI, Katsutaka; JP
山本 賢一 YAMAMOTO, Ken-ichi; JP
三星 蘭 MITSUBOSHI, Ran; JP
増田 奏衣 MASUDA, Kanae; JP
加茂 理 KAMO, Satoshi; JP
篠田 智隆 SHINODA, Tomotaka; JP
Mandataire :
大渕 美千栄 OFUCHI, Michie; JP
布施 行夫 FUSE, Yukio; JP
松本 充史 MATSUMOTO, Mitsufumi; JP
Données relatives à la priorité :
2017-15056003.08.2017JP
Titre (EN) COMPOSITION FOR TREATING SEMICONDUCTOR AND TREATMENT METHOD
(FR) COMPOSITION POUR TRAITER UN SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT
(JA) 半導体処理用組成物および処理方法
Abrégé :
(EN) Provided are: a composition for treating a semiconductor, the composition being capable of suppressing damage by corrosion on tungsten-containing wires or the like of an object to be treated and efficiently removing contamination from the surface of the object to be treated; and a treatment method using the composition. The treatment method according to the present invention comprises a step for chemically-mechanically polishing a wiring substrate containing tungsten as a wiring material, by using a composition containing an iron ion and a peroxide, and thereafter treating the wiring substrate with a composition for treating a semiconductor, wherein the composition for treating a semiconductor comprises a compound (A) having two or more groups selected from the group consisting of tertiary amino groups and salts thereof and a water-soluble compound (B) having a solubility parameter of 10 or higher, and has a pH of 2-7.
(FR) L'invention concerne : une composition pour traiter un semi-conducteur, la composition étant apte à supprimer un endommagement par corrosion sur des fils contenant du tungstène ou similaire d'un objet à traiter et éliminant efficacement la contamination de la surface de l'objet à traiter; et un procédé de traitement utilisant la composition. Le procédé de traitement selon la présente invention comprend une étape de polissage chimico-mécanique d'un substrat de câblage contenant du tungstène en tant que matériau de câblage, en utilisant une composition contenant un ion fer et un peroxyde, et ensuite le traitement du substrat de câblage avec une composition pour le traitement d'un semi-conducteur, la composition pour le traitement d'un semi-conducteur comprenant un composé (A) ayant deux ou plusieurs groupes choisis dans le groupe constitué par des groupes amino tertiaires et des sels de ceux-ci et un composé soluble dans l'eau (B) ayant un paramètre de solubilité de 10 au minimum, et ayant un pH de 2 à 7.
(JA) 被処理体のタングステンを含む配線等に及ぼす腐食によるダメージを抑制し、被処理体の表面より汚染を効率的に除去できる半導体処理用組成物、およびそれを用いた処理方法を提供する。 本発明に係る処理方法は、配線材料としてタングステンを含む配線基板を、鉄イオンおよび過酸化物を含有する組成物を用いて化学機械研磨した後に、三級アミノ基およびその塩からなる群から選択される少なくとも1種の基を2個以上有する化合物(A)と、溶解パラメータが10以上の水溶性化合物(B)とを含有し、pHが2~7である半導体処理用組成物を用いて処理する工程を含む。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)