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1. (WO2019026393) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR ET MACHINE ÉLECTRONIQUE
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N° de publication : WO/2019/026393 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/019617
Date de publication : 07.02.2019 Date de dépôt international : 22.05.2018
CIB :
H01L 27/146 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144
Dispositifs commandés par rayonnement
146
Structures de capteurs d'images
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
N
TRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5
Détails des systèmes de télévision
30
Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335
utilisant des capteurs d'images à l'état solide [capteurs SSIS] 
369
architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
Déposants :
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
Inventeurs :
西藤 洋将 SAITO, Hiromasa; JP
島田 翔平 SHIMADA, Shohei; JP
Mandataire :
亀谷 美明 KAMEYA, Yoshiaki; JP
金本 哲男 KANEMOTO, Tetsuo; JP
萩原 康司 HAGIWARA, Yasushi; JP
松本 一騎 MATSUMOTO, Kazunori; JP
Données relatives à la priorité :
2017-15050603.08.2017JP
Titre (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND ELECTRONIC MACHINE
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR ET MACHINE ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像装置及び電子機器
Abrégé :
(EN) [Problem] To provide a solid-state imaging device and an electronic machine wherein the effects of dark current have been reduced. [Solution] This solid-state imaging device comprises: a plurality of first pixel units arranged into a matrix form, each having one pixel and one on-chip lens provided above the one pixel; at least one second pixel unit disposed within the first pixel unit matrix, having two pixels and one on-chip lens provided so as to straddle over the two pixels; a pixel separation layer separating from one another the photoelectric conversion layers respectively belonging to the pixels from the first pixel units and the second pixel units; and at least one contact provided below the pixel separation layer present within the respective regions of the second pixel units or adjacent to the regions, connecting the pixel separation layer to a reference electric potential wiring. The second pixel units are disposed with a predetermined interval therebetween in at least one column extending in a first direction of the first pixel unit matrix.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de fournir un dispositif d'imagerie à semi-conducteur et une machine électronique dans lesquels les effets du courant d'obscurité ont été réduits. La solution selon l'invention porte sur un dispositif d'imagerie à semi-conducteur qui comprend : une pluralité de premières unités de pixels agencées en une forme de matrice, ayant chacune un pixel et une lentille sur puce disposée au-dessus du pixel; au moins une seconde unité de pixel disposée à l'intérieur de la première matrice d'unités de pixels, ayant deux pixels et une lentille sur puce disposée de façon à chevaucher les deux pixels; une couche de séparation de pixels séparant les unes des autres les couches de conversion photoélectrique appartenant respectivement aux pixels provenant des premières unités de pixels et des secondes unités de pixels; et au moins un contact disposé au-dessous de la couche de séparation de pixels présent dans les régions respectives des secondes unités de pixels ou adjacents aux régions, connectant la couche de séparation de pixels à un câblage de potentiel électrique de référence. Les secondes unités de pixels sont disposées avec un intervalle prédéterminé entre celles-ci dans au moins une colonne s'étendant dans une première direction de la première matrice d'unité de pixel.
(JA) 【課題】暗電流による影響が低減された固体撮像装置及び電子機器を提供する。 【解決手段】1つの画素及び前記1つの画素上に設けられた1つのオンチップレンズを有し、マトリクス状に配列された複数の第1画素ユニットと、2つの画素及び前記2つの画素上に跨って設けられた1つのオンチップレンズを有し、前記第1画素ユニットのマトリクス内に配置された少なくとも1つ以上の第2画素ユニットと、前記第1画素ユニット及び前記第2画素ユニットの各々の画素が備える光電変換層をそれぞれ離隔する画素分離層と、前記第2画素ユニットの各々の領域内に存在する又は該領域と隣接する前記画素分離層の下に設けられ、前記画素分離層と基準電位配線とを接続する少なくとも1つ以上のコンタクトと、を備え、前記第2画素ユニットは、前記第1画素ユニットのマトリクスの第1方向に延伸する少なくとも1列にて、所定の間隔で配置される、固体撮像装置。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)