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1. (WO2019026266) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2019/026266 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/028334
Date de publication : 07.02.2019 Date de dépôt international : 04.08.2017
CIB :
H01L 21/56 (2006.01) ,H01L 23/12 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
56
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
12
Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles
Déposants :
リンテック株式会社 LINTEC CORPORATION [JP/JP]; 東京都板橋区本町23番23号 23-23, Honcho, Itabashi-ku, Tokyo 1730001, JP
Inventeurs :
根津 裕介 NEZU Yusuke; JP
渡邉 康貴 WATANABE Yasutaka; JP
杉野 貴志 SUGINO Takashi; JP
Mandataire :
早川 裕司 HAYAKAWA Yuzi; JP
村雨 圭介 MURASAME Keisuke; JP
飯田 理啓 IIDA Michihiro; JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
Abrégé :
(EN) A production method for a semiconductor device. The production method includes: an electronic component mounting step for mounting an electronic component 2 on an adhesive sheet 1; a first lamination step for laminating a first sealing sheet that comprises a curable first resin composition layer 3; a removal step for removing the adhesive sheet 1; a second lamination step for laminating a second sealing sheet that comprises a curable second resin composition layer 4; a curing step for obtaining a sealed body 5 that comprises a first cured layer 3' that is formed by curing the first resin composition layer 3, a second cured layer 4' that is formed by curing the second resin composition layer 4, and the electronic component 2 as sealed by the first cured layer 3' and the second cured layer 4'; a hole formation step for forming a hole 6; a desmearing step for desmearing the sealed body 5; and an electrode formation step for forming an electrode 7. The production method for a semiconductor device makes it possible to highly integrate and highly functionalize a semiconductor device and can be applied to efficient, high-yield methods.
(FR) L'invention concerne un procédé de production d'un dispositif à semi-conducteur. Le procédé de production comprend : une étape de montage de composant électronique pour monter un composant électronique 2 sur une feuille adhésive 1; une première étape de stratification pour stratifier une première feuille d'étanchéité qui comprend une première couche de composition de résine durcissable 3; une étape de retrait pour retirer la feuille adhésive 1; une seconde étape de stratification pour stratifier une seconde feuille d'étanchéité qui comprend une seconde couche de composition de résine durcissable 4; une étape de durcissement pour obtenir un corps scellé 5 qui comprend une première couche durcie 3' qui est formée par durcissement de la première couche de composition de résine 3, une seconde couche durcie 4' qui est formée par durcissement de la seconde couche de composition de résine 4, et le composant électronique 2 étant scellé par la première couche durcie 3' et la seconde couche durcie 4 '; une étape de formation de trou pour former un trou 6; une étape de détachage pour détacher le corps scellé 5; et une étape de formation d'électrode pour former une électrode 7 Le procédé de production d'un dispositif à semi-conducteur permet d'intégrer et de fonctionnaliser très fortement un dispositif à semi-conducteur et peut être appliqué à des procédés efficaces et à haut rendement.
(JA) 粘着シート1上に電子部品2を載置する電子部品載置工程、硬化性の第1の樹脂組成物層3を備える第1の封止シートを積層する第1積層工程、粘着シート1を剥離する剥離工程、硬化性の第2の樹脂組成物層4を備える第2の封止シートを積層する第2積層工程、第1の樹脂組成物層3が硬化してなる第1の硬化層3'と、第2の樹脂組成物層4が硬化してなる第2の硬化層4'と、第1の硬化層3'および第2の硬化層4'により封止された電子部品2とを備える封止体5を得る硬化工程、孔6を形成する孔形成工程、封止体5をデスミア処理するデスミア工程、および電極7を形成する電極形成工程を含む半導体装置の製造方法。かかる半導体装置の製造方法は、半導体装置の高集積化および高機能化を可能とするとともに、効率的で歩留まり高い方法にも適用できる。
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)