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1. (WO2019026213) PROCÉDÉ D'INSPECTION D'ERREURS TEMPORAIRES, DISPOSITIF D'INSPECTION D'ERREURS TEMPORAIRES ET SYSTÈME D'INSPECTION D'ERREURS TEMPORAIRES
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N° de publication : WO/2019/026213 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/028111
Date de publication : 07.02.2019 Date de dépôt international : 02.08.2017
CIB :
G01R 31/26 (2014.01) ,H01L 21/66 (2006.01)
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
R
MESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
31
Dispositions pour vérifier les propriétés électriques; Dispositions pour la localisation des pannes électriques; Dispositions pour l'essai électrique caractérisées par ce qui est testé, non prévues ailleurs
26
Essai de dispositifs individuels à semi-conducteurs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
66
Essai ou mesure durant la fabrication ou le traitement
Déposants :
富士通株式会社 FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番1号 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588, JP
Inventeurs :
添田 武志 SOEDA, Takeshi; JP
Mandataire :
伊東 忠重 ITOH, Tadashige; JP
伊東 忠彦 ITOH, Tadahiko; JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SOFT ERROR INSPECTION METHOD, SOFT ERROR INSPECTION DEVICE, AND SOFT ERROR INSPECTION SYSTEM
(FR) PROCÉDÉ D'INSPECTION D'ERREURS TEMPORAIRES, DISPOSITIF D'INSPECTION D'ERREURS TEMPORAIRES ET SYSTÈME D'INSPECTION D'ERREURS TEMPORAIRES
(JA) ソフトエラー検査方法、ソフトエラー検査装置及びソフトエラー検査システム
Abrégé :
(EN) This soft error inspection method for a semiconductor device is characterized by comprising: a step for polishing the back surface of the semiconductor device, thereafter, a step for measuring the thicknesses of a plurality of parts of a soft error inspection area of the semiconductor device, a step for irradiating laser light of wavelengths corresponding to the thicknesses of the semiconductor device onto the back surface of the semiconductor device, and a step for measuring bit flip times for the parts of the semiconductor device irradiated with the laser light. With this method, the present invention solves the problem in the existing state of the art.
(FR) Ce procédé d'inspection d'erreurs temporaires pour un dispositif à semi-conducteur est caractérisé en ce qu'il comprend : une étape consistant à polir la surface arrière du dispositif à semi-conducteur, puis, une étape consistant à mesurer les épaisseurs d'une pluralité de parties d'une zone d'inspection d'erreurs temporaires du dispositif à semi-conducteur, une étape consistant à exposer la surface arrière du dispositif à semi-conducteur à un rayonnement de lumière laser à des longueurs d'ondes correspondant aux épaisseurs du dispositif à semi-conducteur, et une étape consistant à mesurer les temps d'inversion de bits pour les parties du dispositif à semi-conducteur exposées à un rayonnement de lumière laser. Grâce à ce procédé, la présente invention résout le problème dans l'état de la technique existant.
(JA) 半導体デバイスにおけるソフトエラー検査方法において、前記半導体デバイスの裏面を研磨する工程と、前記研磨の後に、前記半導体デバイスのソフトエラー検査領域における複数の部分の厚さを測定する工程と、前記半導体デバイスの厚さに対応する波長のレーザ光を前記半導体デバイスの裏面に照射する工程と、前記半導体デバイスの前記レーザ光が照射されている部分のビット反転の時間を測定する工程と、を有することを特徴とするソフトエラー検査方法により上記課題を解決する。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)