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1. (WO2019025917) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF D’AFFICHAGE
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N° de publication : WO/2019/025917 N° de la demande internationale : PCT/IB2018/055617
Date de publication : 07.02.2019 Date de dépôt international : 27.07.2018
CIB :
H01L 21/336 (2006.01) ,G02F 1/1368 (2006.01) ,G09F 9/30 (2006.01) ,H01L 27/32 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 51/50 (2006.01) ,H05B 33/14 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
336
à grille isolée
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
F
DISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1
Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source de lumière indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01
pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
13
basés sur des cristaux liquides, p.ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides
133
Dispositions relatives à la structure; Excitation de cellules à cristaux liquides; Dispositions relatives aux circuits
136
Cellules à cristaux liquides associées structurellement avec une couche ou un substrat semi-conducteurs, p.ex. cellules faisant partie d'un circuit intégré
1362
Cellules à adressage par une matrice active
1368
dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes
G PHYSIQUE
09
ENSEIGNEMENT; CRYPTOGRAPHIE; PRÉSENTATION; PUBLICITÉ; SCEAUX
F
PRÉSENTATION; PUBLICITÉ; ENSEIGNES; ÉTIQUETTES OU PLAQUES D'IDENTIFICATION; SCEAUX
9
Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels
30
dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
28
comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux
32
avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
50
spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
B
CHAUFFAGE ÉLECTRIQUE; ÉCLAIRAGE ÉLECTRIQUE NON PRÉVU AILLEURS
33
Sources de lumière électroluminescentes
12
Sources de lumière avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions
14
caractérisées par la composition chimique ou physique ou la disposition du matériau électroluminescent
Déposants :
株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県厚木市長谷398 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036, JP
Inventeurs :
山崎舜平 YAMAZAKI, Shunpei; JP
島行徳 SHIMA, Yukinori; --
神長正美 JINTYOU, Masami; --
Données relatives à la priorité :
2017-15123604.08.2017JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, AND DISPLAY DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF D’AFFICHAGE
(JA) 半導体装置、及び表示装置
Abrégé :
(EN) Provided is a semiconductor device which can be made highly integrated. The semiconductor device includes a semiconductor layer, a first insulation layer, a second insulation layer, a third insulation layer, and a first conductive layer. The third insulation layer is positioned above the semiconductor layer and includes an opening above the semiconductor layer. The first conductive layer is positioned above the semiconductor layer, the first insulation layer is positioned between the first conductive layer and the semiconductor layer, and the second insulation layer is provided in a position in contact with the semiconductor layer, the first insulation layer and a side surface of the first opening. The semiconductor layer includes: a first portion overlapping the first insulation layer; a pair of second portions sandwiching the first portion, and overlapping the second insulation layer; and a pair of third portions sandwiching the first portion and the pair of second portions, and not overlapping either of the first insulation layer or the second insulation layer. The first portion has a width smaller than the width of the first opening, and has a shape in which the film thickness of the semiconductor layer is thinner than in the second portions, and the second portions have a shape in which the film thickness of the semiconductor layer is thinner than in the third portions.
(FR) La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui peut être rendu hautement intégré. Le dispositif à semi-conducteur comprend une couche semi-conductrice, une première couche isolante, une seconde couche isolante, une troisième couche isolante et une première couche conductrice. La troisième couche isolante est positionnée au-dessus de la couche semi-conductrice et comprend une ouverture au-dessus de la couche semi-conductrice. La première couche conductrice est positionnée au-dessus de la couche semi-conductrice, la première couche isolante est positionnée entre la première couche conductrice et la couche semi-conductrice, et la seconde couche isolante est disposée dans une position en contact avec la couche semi-conductrice, la première couche isolante et une surface latérale de la première ouverture. La couche semi-conductrice comprend : une première partie chevauchant la première couche isolante; une paire de secondes parties prenant en sandwich la première partie, et chevauchant la seconde couche isolante; et une paire de troisièmes parties prenant en sandwich la première partie et la paire de secondes parties, et ne chevauchant pas l'une ou l'autre de la première couche isolante ou de la seconde couche isolante. La première partie a une largeur inférieure à la largeur de la première ouverture, et a une forme dans laquelle l'épaisseur de film de la couche semi-conductrice est plus mince que dans les secondes parties, et les secondes parties ont une forme dans laquelle l'épaisseur de film de la couche semi-conductrice est plus mince que dans les troisièmes parties.
(JA) 要約書 高集積化が可能な半導体装置を提供する。 半導体装置は、半導体層、第1の絶縁層、第2の絶縁層、第3の絶縁層、及び第1の導電層を有する。 第3の絶縁層は、 半導体層上に位置し、 さらに半導体層上に第1の開口を有し、 第1の導電層は、 半 導体層上に位置し、第1の絶縁層は、第1の導電層と、半導体層との間に位置し、第2の絶縁層は、 第1の開口の側面と、 半導体層と、 第1の絶縁層と接する位置に設けられる。 半導体層は、 第1の絶 縁層と重なる第1の部分と、 第1の部分を挟み、 且つ第2の絶縁層と重なる一対の第2の部分と、 第 1の部分及び一対の第2の部分を挟み、且つ第1の絶縁層及び第2の絶縁層のいずれにも重ならない 一対の第3の部分とを有する。 第1の部分は、 第1の開口の幅よりも小さい幅を有し、 また、 半導体 層が第2の部分より膜厚が薄い形状を有し、 第2の部分は、 半導体層が第3の部分より膜厚が薄い形 状を有する。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)