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1. (WO2019025896) MRAM À EFFET HALL DE SPIN À TROIS TERMINAUX
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N° de publication : WO/2019/025896 N° de la demande internationale : PCT/IB2018/055419
Date de publication : 07.02.2019 Date de dépôt international : 20.07.2018
CIB :
G11C 11/16 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
11
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
02
utilisant des éléments magnétiques
16
utilisant des éléments dans lesquels l'effet d'emmagasinage est basé sur l'effet de spin
Déposants :
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, New York 10504, US
IBM UNITED KINGDOM LIMITED [GB/GB]; PO Box 41, North Harbour Portsmouth Hampshire PO6 3AU, GB (MG)
IBM (CHINA) INVESTMENT COMPANY LIMITED [CN/CN]; 25/F, Pangu Plaza No.27, Central North 4th Ring Road, Chaoyang District, Beijing 100101, CN (MG)
Inventeurs :
WORLEDGE, Daniel; US
DE BROSSE, John, Kenneth; US
SUN, Jonathan, Zanhong; US
Mandataire :
WILLIAMS, Julian; GB
Données relatives à la priorité :
15/666,23601.08.2017US
Titre (EN) THREE TERMINAL SPIN HALL MRAM
(FR) MRAM À EFFET HALL DE SPIN À TROIS TERMINAUX
Abrégé :
(EN) Improved spin hall MRAM designs are provided that enable writing of all of the bits along a given word line together using a separate spin hall wire for each MTJ. In one aspect, a magnetic memory cell includes: a spin hall wire exclusive to the magnetic memory cell; an MTJ disposed on the spin hall wire, wherein the MTJ includes a fixed magnetic layer separated from a free magnetic layer by a tunnel barrier; and a pair of selection transistors connected to opposite ends of the spin hall wire. An MRAM device and method for operation thereof are also provided.
(FR) L'invention concerne des conceptions MRAM à effet Hall de spin améliorées qui permettent l'écriture de tous les bits le long d'une ligne de mots donnée conjointement à l'aide d'un fil à effet Hall de spin séparé pour chaque MTJ. Selon un aspect, une cellule de mémoire magnétique comprend : un fil à effet Hall de spin exclusif à la cellule de mémoire magnétique ; une MTJ disposée sur le fil à effet Hall de spin, la MTJ comprenant une couche magnétique fixe séparée d'une couche magnétique libre par une barrière tunnel ; et une paire de transistors de sélection connectés aux extrémités opposées du fil à effet Hall de spin. L'invention concerne également un dispositif MRAM et son procédé de fonctionnement.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)