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1. (WO2019025418) MASQUE PERFECTIONNÉ DE PROTECTION D'UN MATÉRIAU SEMICONDUCTEUR POUR DES APPLICATIONS DE GRAVURE LOCALISÉE
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N° de publication : WO/2019/025418 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/070687
Date de publication : 07.02.2019 Date de dépôt international : 31.07.2018
CIB :
H01L 21/308 (2006.01) ,H01L 21/467 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/306 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
308
en utilisant des masques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
34
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs non couverts par H01L21/06, H01L21/16 et H01L21/18156
46
Traitement de corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/36-H01L21/428161
461
pour changer les caractéristiques physiques ou la forme de leur surface, p.ex. gravure, polissage, découpage
465
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
467
en utilisant des masques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
Déposants :
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE [FR/FR]; 3, rue Michel Ange 75016 PARIS, FR
Inventeurs :
ETCHEBERRY, Arnaud; FR
GONCALVES, Anne-Marie; FR
PELOUARD, Jean-Luc; FR
FREGNAUX, Mathieu; FR
LOUBAT, Anaïs; FR
Mandataire :
HABASQUE, Etienne; FR
NEYRET, Daniel; FR
BLOT, Philippe; FR
DOMENEGO, Bertrand; FR
COLOMBIE, Damien; FR
HOLTZ, Béatrice; FR
Données relatives à la priorité :
175729431.07.2017FR
Titre (EN) IMPROVED MASK FOR PROTECTING A SEMICONDUCTOR MATERIAL FOR LOCALIZED ETCHING APPLICATIONS
(FR) MASQUE PERFECTIONNÉ DE PROTECTION D'UN MATÉRIAU SEMICONDUCTEUR POUR DES APPLICATIONS DE GRAVURE LOCALISÉE
Abrégé :
(EN) The invention relates to the chemical etching of a semiconductor material, including: - depositing at least one mask (PLP) on a first surface zone of a semiconductor material (SC); and - chemically etching (HBr) (S31) a second surface zone of the semiconductor material (SC) that is not covered by the mask (PLP). In particular, the aforementioned mask is produced in a material including polyphosphazene, which material protects the underlying semiconductor especially well.
(FR) L'invention concerne une gravure par attaque chimique d'un matériau semiconducteur, comportant : - un dépôt d'au moins un masque (PLP) sur une première zone de surface de matériau semiconducteur (SC), et - une gravure (S31) par attaque chimique (HBr) d'une deuxième zone de surface du matériau semiconducteur (SC) non recouverte par le masque (PLP). En particulier, le masque précité est réalisé dans un matériau comportant du polyphosphazène, matériau particulièrement protecteur du semiconducteur sous-jacent.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)