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1. (WO2019025354) PROCEDE DE FABRICATION AMELIORE D'UN DETECTEUR OPTIQUE A BASE DE PHOTODIODES ET DISPOSITIF ASSOCIE
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N° de publication : WO/2019/025354 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/070570
Date de publication : 07.02.2019 Date de dépôt international : 30.07.2018
CIB :
H01L 27/146 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144
Dispositifs commandés par rayonnement
146
Structures de capteurs d'images
Déposants :
THALES [FR/FR]; TOUR CARPE DIEM Place des Corolles Esplanade Nord 92400 COURBEVOIE, FR
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES [FR/FR]; 25 rue Leblanc - Bâtiment "Le Ponant D" 75015 PARIS, FR
Inventeurs :
LE GOFF, Florian; FR
REVERCHON, Jean-Luc; FR
Mandataire :
PRIORI, Enrico; FR
ESSELIN, Sophie; FR
Données relatives à la priorité :
170082403.08.2017FR
Titre (EN) METHOD FOR IMPROVED MANUFACTURING OF A PHOTODIODE-BASED OPTICAL SENSOR AND ASSOCIATED DEVICE
(FR) PROCEDE DE FABRICATION AMELIORE D'UN DETECTEUR OPTIQUE A BASE DE PHOTODIODES ET DISPOSITIF ASSOCIE
Abrégé :
(EN) The invention relates to a method for manufacturing (700) a hybrid-type optical sensor comprising the steps of: - assembling (100) by means of an assembly layer (11) firstly an absorbent structure (Sabs) and secondly a reading circuit (ROIC), - etching (200) locally through the absorbent structure, from the assembly layer and the reading circuit to the contacts, so as to form electrical interconnection holes (IH), - depositing (300) a protective layer (PL, PLsca, PLd, PLscna, PLscO) on the walls of the interconnection holes, - producing (400) a doped zone (DZ) of a second type of doping different from the first type of doping by means of diffusing a dopant (Dop) into the absorbent structure through the protective layer, the zone extending annularly around the interconnection holes (IH) so as to form a diode (PhD), - depositing (500) a metallisation layer (ML) on the walls of the interconnection holes (IH), making it possible to electrically connect the doped zone (DZ) to the contact (TLC).
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication (700) d'un détecteur optique de type hybride comprenant les étapes consistant à : -assembler (100) par une couche d'assemblage (11) d'une part une structure absorbante (Sabs) et d'autre part un circuit de lecture (ROIC), -graver (200) localement au travers de la structure absorbante, de la couche d'assemblage et du circuit de lecture jusqu'aux contacts, de manière à constituer des trous d'interconnexion (IH) électrique, -déposer (300) une couche de protection (PL, PLsca, PLd, PLscna, PLscO) sur les parois des trous d'interconnexion, -réaliser (400) une zone dopée (DZ) d'un deuxième type de dopage différent du premier type de dopage par diffusion d'un dopant (Dop) dans la structure absorbante au travers de ladite couche de protection, ladite zone s'étendant de manière annulaire autour desdits trous d'interconnexion (IH) de manière à constituer une diode (PhD), -déposer (500) une couche de métallisation (ML) sur les parois des trous d'interconnexion (IH) permettant de relier électriquement la zone dopée (DZ) avec le contact (TLC).
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)