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1. (WO2019025342) DÉTECTEUR INFRAROUGE AMÉLIORÉ
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N° de publication : WO/2019/025342 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/070555
Date de publication : 07.02.2019 Date de dépôt international : 30.07.2018
CIB :
H01L 27/146 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144
Dispositifs commandés par rayonnement
146
Structures de capteurs d'images
Déposants :
THALES [FR/FR]; TOUR CARPE DIEM Place des Corolles Esplanade Nord 92400 COURBEVOIE, FR
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES; 25 rue Leblanc - Bâtiment "Le Ponant D" 75015 PARIS, FR
Inventeurs :
DELGA, Alexandre; FR
REVERCHON, Jean-Luc; FR
Mandataire :
PRIORI, Enrico; FR
ESSELIN, Sophie; FR
Données relatives à la priorité :
170082503.08.2017FR
Titre (EN) IMPROVED INFRARED DETECTOR
(FR) DÉTECTEUR INFRAROUGE AMÉLIORÉ
Abrégé :
(EN) The invention concerns a hybrid-type optical detector (10) comprising a stack along a Z-axis comprising: - an absorbent structure (Sabs) sensitive in a wavelength band of interest (SB), said structure comprising at least: - one absorbent layer (AL) made of lll-V or ll-VI semiconductor material, termed active material, - an upper layer (Lsup) made of a lll-V or IV semiconductor material, - the absorbent structure further comprising, in at least one layer, a plurality of doped zones (DZ), - a reading circuit (ROIC) comprising a plurality of embedded contacts (TLC), - the absorbent structure (Sabs) and the reading circuit (ROIC) being assembled by an assembly layer (11) in order to form the optical detector (10), - the hybrid detector further comprising an assembly of dielectric resonators (Res) etched in the upper layer (Lsup) and forming an upper surface (Ssup), each resonator being configured to scatter, in a resonant manner, when illuminated by the incident light, a light having at least one resonance wavelength (λR) included in the wavelength band of interest (SB).
(FR) L'invention concerne un détecteur optique (10) de type hybride comprenant un empilement selon un axe Z comprenant : -une structure absorbante (Sabs) sensible dans une bande de longueur d'onde d'intérêt (SB), ladite structure comprenant au moins : -une couche absorbante (AL) en matériau semi-conducteur lll-V ou ll-VI dénommé matériau actif, - une couche supérieure (Lsup) en un matériau semi-conducteur lll-V ou IV -la structure absorbante comprenant en outre, dans au moins une couche, une pluralité de zones dopées (DZ) -un circuit de lecture (ROIC) comprenant une pluralité de contacts (TLC) enterrés, -la structure absorbante (Sabs) et le circuit de lecture (ROIC) étant assemblés par une couche d'assemblage (11) pour former le détecteur optique (10), -le détecteur hybride comprenant en outre un ensemble de résonateurs diélectriques (Res) gravés dans la couche supérieure (Lsup) et formant une surface supérieure (Ssup), chaque résonateur étant configuré pour diffuser de manière résonnante, lorsqu'éclairé par la lumière incidente, une lumière présentant au moins une longueur d'onde de résonance (λR) comprise dans la bande de longueur d'onde d'intérêt (SB).
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)