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1. (WO2019025157) COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE À SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2019/025157 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/069007
Date de publication : 07.02.2019 Date de dépôt international : 12.07.2018
CIB :
H01L 33/54 (2010.01) ,H01L 33/56 (2010.01) ,H01L 33/00 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
52
Encapsulations
54
ayant une forme particulière
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
52
Encapsulations
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Matériaux, p.ex. résine époxy ou silicone
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
Déposants :
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Inventeurs :
SCHWALENBERG, Simon; DE
LEISEN, Daniel; DE
Mandataire :
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Données relatives à la priorité :
10 2017 117 651.903.08.2017DE
Titre (EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT, AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE À SEMI-CONDUCTEUR
(DE) OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTS
Abrégé :
(EN) The invention relates to an optoelectronic semiconductor component (10) comprising: - at least one semiconductor chip (11) for generating electromagnetic radiation, and - a housing body (12) in which the semiconductor chip (11) is arranged and which is filled with a radiation-permeable potting (13), wherein - the potting (13) completely covers the semiconductor chip (11), - scattering particles (14) are introduced into the potting (13), - some of the scattering particles (14) on a potting (13) side facing away from the semiconductor chip (11) are free of potting (13) at least in some locations, and - the ratio of the refractive index of the potting (13) to the refractive index of the scattering particles (14) is at least 0.95 and maximally 1.05. The invention additionally relates to a method for producing an optoelectronic semiconductor component (10).
(FR) L'invention concerne un composant optoélectronique à semi-conducteur (10) comprenant : - au moins une puce semi-conductrice (11) destinée à produire un rayonnement électromagnétique, - un corps de boîtier (12), dans lequel la puce semi-conductrice (11) est agencée et qui est rempli d'un scellement (13) laissant passer un rayonnement, - le scellement (13) recouvrant entièrement la puce semi-conductrice (11), - des particules de diffusion (14) étant introduites dans le scellement (13), - certaines des particules de diffusion (14) sur une face du scellement (13) opposée à la puce semi-conductrice (11) étant au moins par endroits dégagées du scellement (13), et - le rapport de l'indice de réfraction du scellement (13) sur l'indice de réfraction des particules de diffusion (14) atteignant au minimum 0,95 et au maximum 1,05. L'invention concerne en outre un procédé de fabrication d'un composant optoélectronique (10) à semi-conducteur.
(DE) Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) angegeben mit: - mindestens einem Halbleiterchip (11) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung, - einem Gehäusekörper (12), in dem der Halbleiterchip (11) angeordnet ist und der mit einem strahlungsdurchlässigen Verguss (13) befüllt ist, wobei - der Verguss (13) den Halbleiterchip (11) vollständig bedeckt, - Streupartikel (14) in den Verguss (13) eingebracht sind, - manche der Streupartikel (14) an einer dem Halbleiterchip (11) abgewandten Seite des Verguss (13) zumindest stellenweise frei vom Verguss (13) sind, und - das Verhältnis des Brechungsindex vom Verguss (13) zum Brechungsindex der Streupartikel (14) mindestens 0,95 und höchstens 1,05 beträgt. Außerdem wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements (10) angegeben.
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)