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1. (WO2019025117) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE ET COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE
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N° de publication : WO/2019/025117 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/068270
Date de publication : 07.02.2019 Date de dépôt international : 05.07.2018
CIB :
H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 33/38 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
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caractérisés par les électrodes
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ayant une forme particulière
Déposants :
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Inventeurs :
OSZINDA, Thomas; MY
MOLNAR, Attila; MY
KOPP, Fabian; MY
Mandataire :
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Données relatives à la priorité :
10 2017 117 414.101.08.2017DE
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT, AND OPTOELECTRONIC COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE ET COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
Abrégé :
(EN) The invention relates to a method for producing an optoelectronic component (100), comprising the following steps: A) providing a semiconductor layer sequence (1) on an auxiliary carrier (7), B) applying a first insulation layer (2) to the n-doped semiconductor layer (11) over the full surface, C) structuring the first insulation layer (11), D) applying a first metallization (4) for contacting the p-doped semiconductor layer (12) and a second metallization (5) for contacting the n-doped semiconductor layer (11) to the n-doped semiconductor layer (11) over the full surface such that the first and second metallizations (4, 5) are connected to each other, E) performing chemical-mechanical polishing of the first and second metallizations (4, 5) such that a planar surface (261) is produced and the two metallizations (4, 5) are spatially separated from each other, and F) applying a second insulation layer (3) for electrically insulating the first and second metallizations (4, 5), and subsequently structuring the second insulation layer (3).
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un composant optoélectronique (100), qui comprend les étapes consistant à : A) préparer une succession de couches semi-conductrices (1) sur un support auxiliaire (7), B) appliquer une première couche d'isolation (2) sur toute la surface de la couche semi-conductrice dopée N (11), C) structurer la première couche d'isolation (11), D) appliquer une première métallisation (4) permettant la mise en contact de la couche semi-conductrice dopée P (12) et une deuxième métallisation (5) permettant la mise en contact de la couche semi-conductrice dopée N (11) sur toute la surface de la couche semi-conductrice dopée N (11), de telle sorte que les première et deuxième métallisations (4, 5) sont reliées l'une à l’autre ; E) procéder au polissage mécano-chimique de la première et de la deuxième métallisation (4, 5), de telle sorte qu'une surface plane (261) est produite et les deux métallisations (4, 5) sont spatialement séparées l'une de l'autre ; et F) appliquer une deuxième couche d’isolation (3) destinée à assurer l'isolation électrique des première et deuxième métallisations (4, 5) puis structurer la deuxième couche d’isolation (3).
(DE) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements (100) mit den Schritten: A) Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (1) auf einen Hilfsträger (7), B) Aufbringen einer ersten Isolationsschicht (2) ganzflächig auf die n-dotierte Halbleiterschicht (11), C) Strukturieren der ersten Isolationsschicht (11), D) Aufbringen einer ersten Metallisierung (4) zur Kontaktierung der p-dotierten Halbleiterschicht (12) und einer zweiten Metallisierung (5) zur Kontaktierung der n-dotierten Halbleiterschicht (11) ganzflächig auf die n-dotierte Halbleiterschicht (11), so dass die erste und zweite Metallisierung (4, 5) miteinander verbunden sind, E) chemisch-mechanisches Polieren der ersten und der zweiten Metallisierung (4, 5), so dass eine planare Oberfläche (261) erzeugt wird und die beiden Metallisierungen (4, 5) räumlich voneinander separiert werden, und F) Aufbringen einer zweiten Isolationsschicht (3) zur elektrischen Isolation der ersten und zweiten Metallisierung (4, 5) und anschließendes Strukturieren der zweiten Isolationsschicht (3).
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)