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1. (WO2019024917) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET DISPOSITIF À HAUTE TENSION À AUTOPROTECTION CONTRE LES DÉCHARGES ÉLECTROSTATIQUES
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N° de publication : WO/2019/024917 N° de la demande internationale : PCT/CN2018/098511
Date de publication : 07.02.2019 Date de dépôt international : 03.08.2018
CIB :
H01L 23/60 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
58
Dispositions électriques structurelles non prévues ailleurs pour dispositifs semi-conducteurs
60
Protection contre les charges ou les décharges électrostatiques, p.ex. écrans Faraday
Déposants :
无锡华润上华科技有限公司 CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD. [CN/CN]; 中国江苏省无锡市 新区新洲路8号 No.8 Xinzhou Road Wuxi New District, Jiangsu 214028, CN
Inventeurs :
汪广羊 WANG, Guangyang; CN
Mandataire :
广州华进联合专利商标代理有限公司 ADVANCE CHINA IP LAW OFFICE; 中国广东省广州市 天河区花城大道85号3901房 Room 3901, No.85 Huacheng Avenue, Tianhe District Guangzhou, Guangdong 510623, CN
Données relatives à la priorité :
201710656774.303.08.2017CN
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, AND HIGH VOLTAGE DEVICE WITH SELF-ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTION
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET DISPOSITIF À HAUTE TENSION À AUTOPROTECTION CONTRE LES DÉCHARGES ÉLECTROSTATIQUES
(ZH) 一种半导体器件及实现自身静电放电保护的高压器件
Abrégé :
(EN) A high voltage device with self-electrostatic discharge protection. The device comprises: a semiconductor substrate; a first N- well (201), a P- well (202), and a second N- well (209) formed in the semiconductor substrate; a first N+ ion implantation region (203) and a first isolation region (207) formed in the first N-well (201); a second N+ ion implantation region (204) and a P+ ion implantation region (205) adjacent to the second N+ ion implantation region (204) that are formed in the P-well (202); a third N+ ion implantation region (208) formed in the second N- well (209); and a second isolation region (210) formed in the semiconductor substrate, the second isolation region (210) covering a portion of the second N- well (209) and a portion of the P- well (202), wherein the second N+ ion implantation region (203), the P+ ion implantation region (205), and the third N+ ion implantation region (208) constitute an NPN-type BJT, and the electrostatic discharge protection is achieved by means of the BJT.
(FR) La présente invention concerne un dispositif à haute tension ayant une autoprotection contre les décharges électrostatiques. Le dispositif comporte : un substrat semi-conducteur ; un premier puits N (201), un puits P (202), et un second puits N (209) formés dans le substrat semi-conducteur ; une première région d'implantation d'ions N + (203) et une première région d'isolation (207) formées dans le premier puits N (201) ; une deuxième région d'implantation d'ions N + (204) et une région d'implantation d'ions P + (205) adjacente à la deuxième région d'implantation d'ions N + (204) qui sont formées dans le puits P (202) ; une troisième région d'implantation d'ions N + (208) formée dans le second puits N (209) ; une seconde région d'isolation (210) formée dans le substrat semi-conducteur, la seconde région d'isolation (210) recouvrant une partie du second puits N (209) et une partie du puits P (202), la deuxième région d'implantation d'ions N + (203), la région d'implantation d'ions P + (205), et la troisième région d'implantation d'ions N + (208) constituant un BJT de type NPN, et la protection contre les décharges électrostatiques étant obtenue au moyen du BJT.
(ZH) 一种实现自身静电放电保护的高压器件,包括:半导体衬底;形成于半导体衬底中的第一N-阱(201)、P-阱(202)和第二N-阱(209);形成于第一N-阱(201)中的第一N+离子注入区(203)和第一隔离区(207);形成于P-阱(202)中的第二N+离子注入区(204)和紧贴第二N+离子注入区(204)的P+离子注入区(205);形成于第二N-阱(209)中的第三N+离子注入区(208);形成于半导体衬底中的第二隔离区(210),所述第二隔离区(210)覆盖部分第二N-阱(209)和部分P-阱(202),其中,第二N+离子注入区(203)、P+离子注入区(205)和第三N+离子注入区(208)构成NPN型BJT,通过所述BJT实现所述静电放电保护。
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Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)