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1. (WO2019024906) COMPOSANT LDMOS, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
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N° de publication : WO/2019/024906 N° de la demande internationale : PCT/CN2018/098447
Date de publication : 07.02.2019 Date de dépôt international : 03.08.2018
CIB :
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
336
à grille isolée
Déposants :
无锡华润上华科技有限公司 CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD. [CN/CN]; 中国江苏省无锡市 新区新洲路8号 No. 8 Xinzhou Road, New District Wuxi, Jiangsu 214028, CN
Inventeurs :
金华俊 JIN, Huajun; CN
孙贵鹏 SUN, Guipeng; CN
金宏峰 JIN, Hongfeng; CN
Mandataire :
广州华进联合专利商标代理有限公司 ADVANCE CHINA IP LAW OFFICE; 中国广东省广州市 天河区花城大道85号3901房 Room 3901, No. 85 Huacheng Avenue Tianhe District Guangzhou, Guangdong 510623, CN
Données relatives à la priorité :
201710660988.804.08.2017CN
Titre (EN) LDMOS COMPONENT, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) COMPOSANT LDMOS, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(ZH) 一种LDMOS器件及其制造方法和电子装置
Abrégé :
(EN) Provided in the present invention are an LDMOS component, a manufacturing method therefor, and an electronic device, comprising: a semiconductor substrate (100); a drift area (101) provided in the semiconductor substrate; a gate electrode structure (103) provided on a part of the surface of the semiconductor substrate and covers a part of the surface of the drift area; a source electrode (1052) and a drain electrode (1051) respectively provided in the semiconductor substrate on either side of the gate electrode structure, where the drain electrode is provided in the drift area and is separated from the gate electrode structure; a metal silicide barrier layer (106) covering the surface of at least a part of the semiconductor substrate between the gate electrode structure and the drain electrode; and a first contact hole (1081) provided on the surface of at least a part of the metal silicide barrier layer.
(FR) La présente invention concerne un composant LDMOS, son procédé de fabrication, et un dispositif électronique, comprenant : un substrat semi-conducteur (100) ; une zone de dérive (101) disposée dans le substrat semi-conducteur ; une structure d'électrode de grille (103) disposée sur une partie de la surface du substrat semi-conducteur et recouvrant une partie de la surface de la zone de dérive ; une électrode de source (1052) et une électrode de drain (1051) disposées respectivement dans le substrat semi-conducteur de chaque côté de la structure d'électrode de grille, l'électrode de drain étant disposée dans la zone de dérive et étant séparée de la structure d'électrode de grille; une couche barrière en siliciure métallique (106) recouvrant la surface d'au moins une partie du substrat semi-conducteur entre la structure d'électrode de grille et l'électrode de drain; et un premier trou de contact (1081) disposé sur la surface d'au moins une partie de la couche barrière en siliciure métallique.
(ZH) 本发明提供一种LDMOS器件及其制造方法和电子装置,包括:半导体衬底(100);漂移区(101),设置在半导体衬底中;栅极结构(103),设置在半导体衬底的部分表面上,并覆盖部分漂移区的表面;源极(1052)和漏极(1051),分别设置在栅极结构两侧的半导体衬底中,其中,漏极设置在漂移区内并与栅极结构之间存在间隔;金属硅化物阻挡层(106),覆盖栅极结构和漏极之间的至少部分半导体衬底的表面;第一接触孔(1081),设置在至少部分金属硅化物阻挡层的表面上。
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)