Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2019024773) FILM DE PHOTODÉTECTION, CAPTEUR DE PHOTODÉTECTION ET APPAREIL D'AFFICHAGE DE PHOTODÉTECTION COMPRENANT LE FILM DE PHOTODÉTECTION, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DU FILM DE PHOTODÉTECTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2019/024773 N° de la demande internationale : PCT/CN2018/097356
Date de publication : 07.02.2019 Date de dépôt international : 27.07.2018
CIB :
H01L 31/113 (2006.01) ,H01L 31/112 (2006.01) ,H01L 31/0224 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08
dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10
caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
101
Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet
112
caractérisés par un fonctionnement par effet de champ, p.ex. phototransistor à effet de champ à jonction
113
du type conducteur-isolant-semi-conducteur, p.ex. transistor à effet de champ métal-isolant-semi-conducteur
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08
dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10
caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
101
Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet
112
caractérisés par un fonctionnement par effet de champ, p.ex. phototransistor à effet de champ à jonction
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02
Détails
0224
Electrodes
Déposants :
SHANGHAI HARVEST INTELLIGENCE TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; Room J2990, Building 2, No.4268 Zhennan Road, Jiading District Shanghai 201800, CN
Inventeurs :
HUANG, Jiandong; CN
Mandataire :
TIE CHI PATENT FIRM; Rm. 705, 7F, Jialong International Tower No. 19, Chaoyang Park Road, Chaoyang Dist. Beijing 100026, CN
Données relatives à la priorité :
201710640248.831.07.2017CN
Titre (EN) PHOTODETECTION FILM, PHOTODETECTION SENSOR AND PHOTODETECTION DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE PHOTODETECTION FILM, AND METHOD OF MAKING THE PHOTODETECTION FILM
(FR) FILM DE PHOTODÉTECTION, CAPTEUR DE PHOTODÉTECTION ET APPAREIL D'AFFICHAGE DE PHOTODÉTECTION COMPRENANT LE FILM DE PHOTODÉTECTION, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DU FILM DE PHOTODÉTECTION
Abrégé :
(EN) A photodetection film includes a photodetection transistor. The photodetection transistor includes a gate electrode, a gate insulating layer surroundingly formed on the gate electrode, at least one drain terminal disposed on the gate insulating layer and is spaced apart from the gate electrode, at least one source terminal disposed on the gate insulating layer and is spaced apart from the gate electrode and the at least one drain terminal, and a light-absorbing semiconductor layer disposed on the gate insulating layer and extends between the drain and source terminals. A photodetection sensor, a photodetection display apparatus, and a method of making the photodetection film are also disclosed.
(FR) La présente invention concerne un film de photodétection qui comprend un transistor de photodétection. Le transistor de photodétection comprend une électrode de grille, une couche d'isolation de grille formée de manière à entourer l'électrode de grille, au moins une borne de drain disposée sur la couche d'isolation de grille et espacée de l'électrode de grille, au moins une borne de source disposée sur la couche d'isolation de grille et espacée de l'électrode de grille et de ladite borne de drain, et une couche semi-conductrice d'absorption de lumière disposée sur la couche d'isolation de grille et s'étendant entre les bornes de drain et de source. L'invention concerne également un capteur de photodétection, un appareil d'affichage de photodétection, et un procédé de fabrication du film de photodétection.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)