Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2019024501) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2019/024501 N° de la demande internationale : PCT/CN2018/078654
Date de publication : 07.02.2019 Date de dépôt international : 12.03.2018
CIB :
H01L 33/02 (2010.01) ,H01L 33/14 (2010.01) ,H01L 33/00 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
14
ayant une structure contrôlant le transport des charges, p.ex. couche semi-conductrice fortement dopée ou structure bloquant le courant
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
Déposants :
厦门三安光电有限公司 XIAMEN SAN'AN OPTOELECTRONICS CO., LTD. [CN/CN]; 中国福建省厦门市 同安区洪塘镇民安大道841-899号 No. 841-899, Min An Road, Hongtang Town, Tongan District Xiamen, Fujian 361100, CN
Inventeurs :
蓝永凌 LAN, Yung-Ling; CN
林兓兓 LIN, Chan-Chan; CN
蔡吉明 TSAI, Chi-Ming; CN
张家宏 CHANG, Chia-Hung; CN
Données relatives à la priorité :
201710638217.931.07.2017CN
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND PREPARATION METHOD THEREFOR
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
(ZH) 一种半导体发光元件及其制备方法
Abrégé :
(EN) A semiconductor light emitting element and a preparation method therefor. A first cover layer (410) and a second cover layer (420) of the light emitting element grow between a final barrier layer (310) and an electron blocking layer (500) which have a high energy level, at a low temperature,. The first cover layer is an undoped layer which is grown at a relatively low temperature, and is used for decreasing the reduction of light emitting efficiency caused by diffusion of P-type impurity to a multiple quantum well structure layer (300). The second cover layer is a hole injection layer, which is doped with a high concentration of P-type impurity so as to improve the hole injection effect. Due to the first cover layer and the second cover layer having a high energy level, the invention efficiently reduces electron leakage, and improves the light emitting efficiency of the semiconductor element.
(FR) L'invention concerne un élément électroluminescent à semi-conducteur et son procédé de préparation. Une première couche de recouvrement (410) et une seconde couche de recouvrement (420) de l'élément électroluminescent croissent entre une couche barrière finale (310) et une couche de blocage d'électrons (500) qui ont un niveau d'énergie élevé, à basse température. La première couche de recouvrement est une couche non dopée qui est amenée à croitre à une température relativement basse, et est utilisée pour diminuer la réduction de l'efficacité d'électroluminescence provoquée par la diffusion d'une impureté de type P dans une couche à structure de puits quantiques multiples (300). La seconde couche de recouvrement est une couche d'injection de trous, qui est dopée avec une concentration élevée d'impuretés de type P de façon à améliorer l'effet d'injection de trous. En raison de la première couche de recouvrement et de la seconde couche de recouvrement ayant un niveau d'énergie élevé, l'invention réduit efficacement les fuites d'électrons, et améliore l'efficacité d'électroluminescence de l'élément semi-conducteur.
(ZH) 一种半导体发光元件及其制备方法,该发光元件通过在最终势垒层(310)与电子阻挡层(500)之间低温生长高能级的第一盖层(410)和第二盖层(420),第一盖层为相对低温生长的未掺杂层,用于降低P型杂质扩散至多量子阱结构层(300)导致发光效率降低,第二盖层为空穴注入层,其掺杂有高浓度的P型杂质以提升空穴注入效应,同时,利用第一盖层和第二盖层的高能级,有效降低了电子溢流,提升半导体元件的发光效率。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)