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1. (WO2019024365) PUCE FLUORESCENTE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET APPAREIL ÉLECTROLUMINESCENT
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N° de publication : WO/2019/024365 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/114723
Date de publication : 07.02.2019 Date de dépôt international : 06.12.2017
CIB :
H01L 33/48 (2010.01) ,H01L 25/075 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
075
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L33/81
Déposants :
深圳光峰科技股份有限公司 APPOTRONICS CORPORATION LIMITED [CN/CN]; 中国广东省深圳市南山区粤海街道学府路63号高新区联合总部大厦20-22楼 20F-22F, High-Tech Zone Union Tower, No.63, Xuefu Road, Yuehai Street, Nanshan District, Shenzhen, Guangdong 518000, CN
Inventeurs :
李乾 LI, Qian; CN
陈雨叁 CHEN, Yusan; CN
胡飞 HU, Fei; CN
许颜正 XU, Yanzheng; CN
Données relatives à la priorité :
201710655036.703.08.2017CN
Titre (EN) FLUORESCENCE CHIP, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND LIGHT-EMITTING APPARATUS
(FR) PUCE FLUORESCENTE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET APPAREIL ÉLECTROLUMINESCENT
(ZH) 荧光芯片及其制造方法和发光装置
Abrégé :
(EN) An improved fluorescence chip (100) emitting excited light when being excited by external exciting light, a manufacturing method therefor, and a light-emitting apparatus (10) comprising the fluorescence chip (100). The fluorescence chip (100) comprises: a substrate (101); a reflecting layer (102), which is provided on the substrate (101); and a light-emitting layer (103), which is provided on the reflecting layer (102). Multiple independent light-emitting units (105) that are in two-dimensional arrangement and reflection separating portions (104) around the light-emitting units (105) are formed in the light-emitting layer (103).
(FR) L'invention concerne une puce fluorescente améliorée (100) émettant de la lumière excitée lorsqu'elle est excitée par une lumière d'excitation externe, son procédé de fabrication, et un appareil électroluminescent (10) comprenant la puce fluorescente (100). La puce fluorescente (100) comprend : un substrat (101); une couche réfléchissante (102), qui est disposée sur le substrat (101); et une couche électroluminescente (103), qui est disposée sur la couche réfléchissante (102). De multiples unités électroluminescentes indépendantes (105) qui sont dans un agencement bidimensionnel et des parties de séparation de réflexion (104) autour des unités électroluminescentes (105) sont formées dans la couche électroluminescente (103).
(ZH) 一种改进的在被外部激发光激发时发出受激光的荧光芯片(100)及其制造方法和包含荧光芯片(100)的发光装置(10)。荧光芯片(100)包括:基板(101);反射层(102),反射层(102)设置在基板(101)上;以及发光层(103),发光层(103)设置在反射层(102)上,在发光层(103)中形成有二维排列的多个独立的发光单元(105)和围绕各个发光单元(105)的反射隔离部(104)。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)