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1. (WO2019024334) PUCE DE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE ULTRAVIOLETTE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2019/024334 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/112028
Date de publication : 07.02.2019 Date de dépôt international : 21.11.2017
CIB :
H01L 27/02 (2006.01) ,H01L 33/00 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
Déposants :
广东工业大学 GUANGDONG UNIVERSITY OF TECHNOLOGY [CN/CN]; 中国广东省广州市 越秀区东风东路729号大院 729, Dongfeng East Rd., Yuexiu District Guangzhou, Guangdong 510006, CN
Inventeurs :
何苗 HE, Miao; CN
杨思攀 YANG, Sipan; CN
王成民 WANG, Chengmin; CN
王润 WANG, Run; CN
Mandataire :
北京集佳知识产权代理有限公司 UNITALEN ATTORNEYS AT LAW; 中国北京市 朝阳区建国门外大街22号赛特广场7层 7th Floor, Scitech Place No. 22, Jian Guo Men Wai Avenue Chao Yang District Beijing 100004, CN
Données relatives à la priorité :
201710640094.231.07.2017CN
201720946825.131.07.2017CN
Titre (EN) ULTRAVIOLET LED CHIP AND FABRICATION METHOD THEREFOR
(FR) PUCE DE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE ULTRAVIOLETTE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 一种紫外LED芯片及其制备方法
Abrégé :
(EN) Disclosed by the present application are an ultraviolet light-emitting diode (LED) chip and a fabrication method therefor; the ultraviolet LED chip, by means of growing an epitaxial structure on a surface of a substrate and providing an insulating layer and a groove contact layer in the middle of the epitaxial structure, isolates the complete epitaxial structure into a first epitaxial structure and a second epitaxial structure that are insulated from each other, extracting an N-type aluminium gallium nitride layer of the first epitaxial structure by means of the groove contact layer; moreover, the ultraviolet LED chip forms a light emitting diode and an electrostatic protection diode respectively by means of an N electrode, a P electrode and an intermediate electrode on the substrate cooperating with the first epitaxial structure and the second epitaxial structure; the electrostatic protection diode is connected in reverse parallel at both ends of the light emitting diode, thus providing an electrostatic discharge channel for the ultraviolet LED chip, reducing direct harm that is caused to the ultraviolet LED chip by electrostatic discharge, and increasing a forward voltage of the LED and the strength in resisting electrostatic discharge striking, thereby improving the yield and reliability of the ultraviolet LED chip.
(FR) La présente invention concerne une puce de diode électroluminescente (DEL) ultraviolette et son procédé de fabrication; la puce de DEL ultraviolette, au moyen de la croissance d'une structure épitaxiale sur une surface d'un substrat et la fourniture d'une couche isolante et d'une couche de sillon de contact au milieu de la structure épitaxiale, isole la structure épitaxiale complète en une première structure épitaxiale et une seconde structure épitaxiale qui sont isolées l'une de l'autre, en extrayant une couche de nitrure de gallium d'aluminium de type N de la première structure épitaxiale au moyen de la couche de sillon de contact; de plus, la puce de DEL ultraviolette forme une diode électroluminescente et une diode de protection électrostatique respectivement au moyen d'une électrode N, une électrode P et une électrode intermédiaire sur le substrat coopérant avec la première structure épitaxiale et la seconde structure épitaxiale; la diode de protection électrostatique est connectée en parallèle inverse aux deux extrémités de la diode électroluminescente, fournissant ainsi un canal de décharge électrostatique pour la puce de DEL ultraviolette, réduisant les dommages directs qui sont causés à la puce de DEL ultraviolette par décharge électrostatique, et augmentant une tension directe de la DEL et la force de résistance au déclenchement de décharge électrostatique, ce qui permet d'améliorer le rendement et la fiabilité de la puce de DEL ultraviolette.
(ZH) 本申请公开了一种紫外LED芯片及其制备方法,该紫外LED芯片通过在衬底表面上生长外延结构,以及在所述外延结构的中间设置绝缘层和凹槽接触层,进而将完整的外延结构隔离成两种彼此绝缘的第一外延结构和第二外延结构,通过凹槽接触层将第一外延结构的N型氮化镓铝层引出,并且紫外LED芯片通过基板上的N电极、P电极和中间电极配合第一外延结构和第二外延结构分别形成了发光二极管和静电保护二极管,该静电保护二极管反向并联连接在发光二极管两端,为紫外LED芯片提供了一条静电释放的通道,减小了静电放电对紫外LED芯片的直接危害,增大了LED的正向电压和抗静电放电打击的强度,从而提高了紫外LED芯片的成品率和可靠性。
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Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)