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1. (WO2019024328) SOLUTION DE GRAVURE POUR COUCHE DE FILM IGZO ET SON PROCÉDÉ DE GRAVURE
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N° de publication : WO/2019/024328 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/111362
Date de publication : 07.02.2019 Date de dépôt international : 16.11.2017
CIB :
H01L 21/306 (2006.01) ,C09K 13/06 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
09
COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
K
SUBSTANCES POUR DES APPLICATIONS NON PRÉVUES AILLEURS; APPLICATIONS DE SUBSTANCES NON PRÉVUES AILLEURS
13
Compositions pour l'attaque chimique, la gravure, le brillantage de surface ou le décapage
04
contenant un acide inorganique
06
avec une substance organique
Déposants :
深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS SEMICONDUCTOR DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国广东省深圳市 光明新区公明街道塘明大道9-2号 No.9-2, Tangming Road, Gongming Street, Guangming New District Shenzhen, Guangdong 518132, CN
Inventeurs :
甘启明 GAN, Qiming; CN
Mandataire :
深圳市德力知识产权代理事务所 COMIPS INTELLECTUAL PROPERTY OFFICE; 中国广东省深圳市 福田区上步中路深勘大厦15E Room 15E Shenkan Building, Shangbu Zhong Road, Futian District Shenzhen, Guangdong 518028, CN
Données relatives à la priorité :
201710662486.904.08.2017CN
Titre (EN) ETCHING SOLUTION FOR IGZO FILM LAYER AND ETCHING METHOD THEREFOR
(FR) SOLUTION DE GRAVURE POUR COUCHE DE FILM IGZO ET SON PROCÉDÉ DE GRAVURE
(ZH) IGZO膜层的蚀刻液及其蚀刻方法
Abrégé :
(EN) An etching solution for an IGZO film layer and an etching method therefor; the etching solution comprises an acid, a phosphate, hydrogen peroxide and water, and the pH value of the etching solution does not exceed 5, and the solution may effectively control etching rate such that etching rate is uniform, and thus an IGZO film layer (50) may be stably etched without introducing impurities that affect the electrical properties of IGZO, thereby effectively improving the stability of an IGZO-thin film transistor (TFT) device. The etching method for an IGZO film layer employs the foregoing etching solution for an IGZO film layer, and may effectively control etching rate such that etching rate is uniform, and thus an IGZO film layer (50) may be stably etched without introducing impurities that affect the electrical properties of IGZO, thereby effectively improving the stability of an IGZO-TFT device.
(FR) La présente invention concerne une solution de gravure pour une couche de film IGZO et son procédé de gravure ; la solution de gravure comprend un acide, un phosphate, du peroxyde d'hydrogène et de l'eau, et la valeur du pH de la solution de gravure ne dépasse pas 5, et la solution peut réguler efficacement la vitesse de gravure de telle sorte que la vitesse de gravure est uniforme, et ainsi une couche de film IGZO (50) peut être gravée de manière stable sans introduire d'impuretés qui affectent les propriétés électriques IGZO, ce qui permet d'améliorer efficacement la stabilité d'un dispositif de transistor à couches minces (TFT) IGZO. Le procédé de gravure pour une couche de film IGZO utilise la solution de gravure susmentionnée pour une couche de film IGZO, et peut réguler efficacement la vitesse de gravure de telle sorte que la vitesse de gravure est uniforme, et ainsi une couche de film IGZO (50) peut être gravée de manière stable sans introduire d'impuretés qui affectent les propriétés électriques IGZO, ce qui permet d'améliorer efficacement la stabilité d'un dispositif TFT-IGZO.
(ZH) 一种IGZO膜层的蚀刻液及蚀刻方法,该蚀刻液包含酸、磷酸盐、过氧化氢及水,且该蚀刻液的pH值不超过5,可以有效控制蚀刻的速率,使蚀刻的速率均匀,能够稳定的蚀刻IGZO膜层(50),同时又不会引入一些影响IGZO电性的杂质,从而可有效提高IGZO-TFT器件的稳定性。所述IGZO膜层的蚀刻方法采用上述的IGZO膜层的蚀刻液,可以有效控制蚀刻的速率,使蚀刻的速率均匀,能够稳定地蚀刻IGZO膜层(50),同时又不会引入一些影响IGZO电性的杂质,从而可有效提高IGZO-TFT器件的稳定性。
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Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)