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1. (WO2019024021) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM
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N° de publication : WO/2019/024021 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/095699
Date de publication : 07.02.2019 Date de dépôt international : 02.08.2017
CIB :
H01L 31/18 (2006.01) ,C23C 14/56 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
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Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
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Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
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caractérisé par le procédé de revêtement
56
Appareillage spécialement adapté au revêtement en continu; Dispositifs pour maintenir le vide, p.ex. fermeture étanche
Déposants :
深圳市柔宇科技有限公司 SHENZHEN ROYOLE TECHNOLOGIES CO., LTD [CN/CN]; 中国广东省深圳市 龙岗区横岗街道龙岗大道8288号大运软件小镇43栋 Building #43, Dayun Software Town No. 8288 Longgang Road, Henggang Street Longgang District Shenzhen, Guangdong 518115, CN
Inventeurs :
欧建兵 OU, Jianbing; CN
Mandataire :
广州三环专利商标代理有限公司 SCIHEAD IP LAW FIRM; 中国广东省广州市 越秀区先烈中路80号汇华商贸大厦1508室 Room 1508, Huihua Commercial & Trade Building No. 80, XianLie Zhong Road, Yuexiu District Guangzhou, Guangdong 510070, CN
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) FILM FORMING DEVICE AND FILM FORMING METHOD
(FR) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM
(ZH) 成膜设备及成膜方法
Abrégé :
(EN) A film forming device (10) comprises a film forming chamber (11, 12). At least two material sources (121, 122) are disposed inside the film forming chamber (11, 12). The at least two material sources (121, 122) are used for coating a film on a substrate (100). A safe working distance (D) exists between every two material sources (121, 122), and after the current material source (121) coats a film on the substrate (100), the next material source (122) coats a film on a film layer formed by the previous material source (121). A film forming method, used for forming a film layer on the substrate (100). By means of the film forming device and the film forming method, a film forming processing line can be shortened, the production efficiency is improved, and device costs are reduced.
(FR) La présente invention porte sur un dispositif de formation de film (10) qui comprend une chambre de formation de film (11, 12). Au moins deux sources de matériau (121, 122) sont disposées dans la chambre de formation de film (11, 12), lesdites sources de matériau (121, 122) servent à revêtir un film sur un substrat (100). Une distance de travail sûre (D) existe entre chaque paire de sources de matériau (121, 122), et après revêtement d'un film sur le substrat (100) par la source de matériau actuelle (121), la source de matériau suivante (122) revêt un film sur une couche de film formée par la source de matériau précédente (121). L'invention porte également sur un procédé de formation de film, permettant de former une couche de film sur le substrat (100). Au moyen du dispositif et du procédé de formation de film, une ligne de traitement de formation de film peut être raccourcie, l'efficacité de production est améliorée, et les coûts de dispositif sont réduits.
(ZH) 一种成膜设备(10),包括成膜室(11,21),成膜室(11,21)内设有至少两个材料源(121,122),至少两个材料源(121,122)用于依次在基板(100)上镀膜;其中,每两个相邻的材料源(121,122)之间具有安全工作距离(D),且当前一个材料源(121)在基板(100)上镀膜后,后一个材料源(122)在前一个材料源(121)所形成的膜层之上再次镀膜。一种成膜方法,用于在基板(100)上形成膜层。成膜设备及成膜方法能够缩短成膜工艺线,提升生产效率,并降低设备成本。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)