Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2019023943) DISPOSITIF DE STRUCTURE DE CANAL FLUIDIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2019/023943 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/095498
Date de publication : 07.02.2019 Date de dépôt international : 01.08.2017
CIB :
B81C 1/00 (2006.01) ,B01L 3/00 (2006.01)
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
81
TECHNOLOGIE DES MICROSTRUCTURES
C
PROCÉDÉS OU APPAREILS SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À LA FABRICATION OU AU TRAITEMENT DE DISPOSITIFS OU DE SYSTÈMES À MICROSTRUCTURE
1
Fabrication ou traitement de dispositifs ou de systèmes dans ou sur un substrat
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
01
PROCÉDÉS OU APPAREILS PHYSIQUES OU CHIMIQUES EN GÉNÉRAL
L
APPAREILS DE LABORATOIRE POUR LA CHIMIE OU LA PHYSIQUE, À USAGE GÉNÉRAL
3
Récipients ou ustensiles pour laboratoires, p.ex. verrerie de laboratoire; Compte-gouttes
Déposants :
深圳华大基因研究院 BGI SHENZHEN [CN/CN]; 中国广东省深圳市 盐田区北山工业区综合楼 Main Building, Beishan Industrial Zone, Yantian District Shenzhen, Guangdong 518083, CN
Inventeurs :
云全新 YUN, Quanxin; CN
林建勋 LIN, Jianxun; CN
董龙涛 DONG, Longtao; CN
汪天书 WANG, Tianshu; CN
朱国丽 ZHU, Guoli; CN
Mandataire :
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 CCPIT PATENT AND TRADEMARK LAW OFFICE; 中国北京市 西城区阜成门外大街2号万通新世界广场8层 8th Floor, Vantone New World Plaza, 2 Fuchengmenwai Street, Xicheng District Beijing 100037, CN
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) FLUIDIC CHANNEL STRUCTURE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF DE STRUCTURE DE CANAL FLUIDIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
(ZH) 流道结构器件及其制造方法
Abrégé :
(EN) Disclosed are a fluidic channel structure device and a manufacturing method therefor. The method comprises: providing a substrate (21) comprising a first part (211) and a second part (212) adjoining the first part (211); forming a first patterned sacrificial layer (31) on the substrate (21), wherein the first sacrificial layer (31) covers the second part (212), and the first part (211) is exposed; forming a first structure layer (41) on the first part (211) of the substrate (21) and the first sacrificial layer (31); performing a first polishing treatment to expose the first sacrificial layer (31); removing the first sacrificial layer (31) to expose an upper surface of the second part (212) of the substrate (21) and a side surface of the first structure layer (41); forming a second sacrificial layer (32) on a portion of the upper surface of the second part (212) of the substrate (21), wherein the second sacrificial layer (32) covers the side surface of the first structure layer (41); forming a second structure layer (42) on the second part (212) of the substrate (21), the second sacrificial layer (32) and the first structure layer (41); performing a second polishing treatment to expose the second sacrificial layer (32); and removing the second sacrificial layer (32) using a selective etching process, so as to form a fluidic channel (50). The method can realize a fluidic channel structure device having a vertical fluidic channel.
(FR) La présente invention concerne un dispositif de structure de canal fluidique et un procédé de fabrication associé. Le procédé comprend : la fourniture d'un substrat (21) comprenant une première partie (211) et une seconde partie (212) adjacente à la première partie (211) ; la formation d'une première couche sacrificielle à motifs (31) sur le substrat (21), la première couche sacrificielle (31) recouvrant la seconde partie (212), et la première partie (211) étant exposée ; la formation d'une première couche de structure (41) sur la première partie (211) du substrat (21) et la première couche sacrificielle (31) ; la réalisation d'un premier traitement de polissage pour exposer la première couche sacrificielle (31) ; le retrait de la première couche sacrificielle (31) pour exposer une surface supérieure de la seconde partie (212) du substrat (21) et une surface latérale de la première couche de structure (41) ; la formation d'une seconde couche sacrificielle (32) sur une partie de la surface supérieure de la seconde partie (212) du substrat (21), la seconde couche sacrificielle (32) recouvrant la surface latérale de la première couche de structure (41) ; la formation d'une seconde couche de structure (42) sur la seconde partie (212) du substrat (21), la seconde couche sacrificielle (32) et la première couche de structure (41) ; la réalisation d'un second traitement de polissage pour exposer la seconde couche sacrificielle (32) ; et le retrait de la seconde couche sacrificielle (32) au moyen d'un processus de gravure sélective de manière à former un canal fluidique (50). Le procédé peut réaliser un dispositif de structure de canal fluidique comprenant un canal fluidique vertical.
(ZH) 一种流道结构器件及其制造方法,该方法包括:提供基片(21),其包括第一部分(211)和与第一部分(211)邻接的第二部分(212);在基片(21)上形成图形化的第一牺牲层(31),该第一牺牲层(31)覆盖第二部分(212)且露出第一部分(211);在基片(21)的第一部分(211)和第一牺牲层(31)上形成第一结构层(41);执行第一抛光处理以露出第一牺牲层(31);去除第一牺牲层(31)以露出基片(21)的第二部分(212)的上表面和第一结构层(41)的侧面;在基片(21)的第二部分(212)的部分上表面上形成第二牺牲层(32),其中第二牺牲层(32)覆盖第一结构层(41)的侧面;在基片(21)的第二部分(212)、第二牺牲层(32)和第一结构层(41)上形成第二结构层(42);执行第二抛光处理以露出第二牺牲层(32);以及利用选择性刻蚀工艺去除第二牺牲层(32)以形成流道(50);该方法可以实现具有垂直流道的流道结构器件。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)