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1. (WO2019023797) COMPOSÉS ORGANOMÉTALLIQUES ET PROCÉDÉS DE DÉPÔT D'OXYDE D'ÉTAIN DE HAUTE PURETÉ
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N° de publication : WO/2019/023797 N° de la demande internationale : PCT/CA2018/050933
Date de publication : 07.02.2019 Date de dépôt international : 31.07.2018
CIB :
C07F 7/22 (2006.01) ,C23C 16/40 (2006.01) ,C23F 1/02 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
07
CHIMIE ORGANIQUE
F
COMPOSÉS ACYCLIQUES, CARBOCYCLIQUES OU HÉTÉROCYCLIQUES CONTENANT DES ÉLÉMENTS AUTRES QUE LE CARBONE, L'HYDROGÈNE, LES HALOGÈNES, L'OXYGÈNE, L'AZOTE, LE SOUFRE, LE SÉLÉNIUM OU LE TELLURE
7
Composés contenant des éléments du 4ème groupe de la classification périodique
22
Composés de l'étain
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16
Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
22
caractérisé par le dépôt de matériaux inorganiques, autres que des matériaux métalliques
30
Dépôt de composés, de mélanges ou de solutions solides, p.ex. borures, carbures, nitrures
40
Oxydes
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
F
ENLÈVEMENT NON MÉCANIQUE DE MATÉRIAU MÉTALLIQUE DES SURFACES; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; MOYENS POUR EMPÊCHER L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL; PROCÉDÉS À ÉTAPES MULTIPLES POUR LE TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES UTILISANT AU MOINS UN PROCÉDÉ COUVERT PAR LA CLASSE C23 ET AU MOINS UN PROCÉDÉ COUVERT SOIT PAR LA SOUS-CLASSE C21D, SOIT PAR LA SOUS-CLASSE C22F, SOIT PAR LA CLASSE C25308
1
Décapage de matériaux métalliques par des moyens chimiques
02
Gravure locale
Déposants :
SEASTAR CHEMICALS INC. [CA/CA]; 2061 Henry Ave W Sidney, British Columbia V8L 5Z6, CA
Inventeurs :
ODEDRA, Rajesh; CA
DONG, Cunhai; CA
FABULYAK, Diana; CA
GRAFF, Wesley; SG
Mandataire :
THOMPSON, Douglas; CA
COOPER, Michael; CA
Données relatives à la priorité :
297510402.08.2017CA
Titre (EN) ORGANOMETALLIC COMPOUNDS AND METHODS FOR THE DEPOSITION OF HIGH PURITY TIN OXIDE
(FR) COMPOSÉS ORGANOMÉTALLIQUES ET PROCÉDÉS DE DÉPÔT D'OXYDE D'ÉTAIN DE HAUTE PURETÉ
Abrégé :
(EN) Disclosed herein are compounds useful for the deposition of high purity tin oxide. Also disclose are methods for the deposition of tin oxide films using such compounds. Such films demonstrate high conformality, high etch selectivity and are optically transparent. Such compounds are those of the Formula as follows R x -Sn-A 4-x wherein: A is selected from the group consisting of (Y a R' z ) and a 3- to 7-membered N- containing heterocyclic group; each R group is independently selected from the group consisting of an alkyl or aryl group having from 1 to 10 carbon atoms; each R' group is independently selected from the group consisting of an alkyl, acyl or aryl group having from 1 to 10 carbon atoms; x is an integer from 0 to 4; a is an integer from 0 to 1; Y is selected from the group consisting of N, O, S, and P; and z is 1 when Y is O, S or when Y is absent and z is 2 when Y is N or P.
(FR) L'invention concerne des composés utiles pour le dépôt d'oxyde d'étain de haute pureté. L'invention concerne également des procédés de dépôt de films d'oxyde d'étain utilisant de tels composés. De tels films présentent une conformité élevée, une sélectivité de gravure élevée et sont optiquement transparents. De tels composés sont ceux de la formule suivante : R x -Sn-A 4-x dans laquelle : A est choisi dans le groupe constitué par (Y a R 'z) et un groupe hétérocyclique contenant du N de 3 à 7 chaînons ; chaque groupe R est indépendamment choisi dans le groupe constitué par un groupe alkyle ou aryle ayant de 1 à 10 atomes de carbone ; chaque groupe R' est indépendamment choisi dans le groupe constitué par un groupe alkyle, acyle ou aryle ayant de 1 à 10 atomes de carbone ; x est un nombre entier de 0 à 4 ; a est un nombre entier de 0 à 1 ; Y est choisi dans le groupe constitué par N, O, S, et P ; et z est 1 lorsque Y est O, S ou lorsque Y est absent et z est 2 lorsque Y est N ou P.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)