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1. (WO2019009143) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT RÉCEPTEUR D'INFRAROUGES, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CAPTEUR OPTIQUE, STRATIFIÉ, COMPOSITION DE PHOTORÉSINE ET KIT
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N° de publication : WO/2019/009143 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/024257
Date de publication : 10.01.2019 Date de dépôt international : 27.06.2018
CIB :
G03F 7/40 (2006.01) ,G03F 7/039 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01) ,H01L 27/144 (2006.01) ,H01L 31/10 (2006.01)
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
26
Traitement des matériaux photosensibles; Appareillages à cet effet
40
Traitement après le dépouillement selon l'image, p.ex. émaillage
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
039
Composés macromoléculaires photodégradables, p.ex. réserves positives sensibles aux électrons
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20
Exposition; Appareillages à cet effet
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144
Dispositifs commandés par rayonnement
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08
dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10
caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
Déposants :
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
Inventeurs :
高桑 英希 TAKAKUWA Hideki; JP
東 耕平 HIGASHI Kohei; JP
Mandataire :
特許業務法人特許事務所サイクス SIKS & CO.; 東京都中央区京橋一丁目8番7号 京橋日殖ビル8階 8th Floor, Kyobashi-Nisshoku Bldg., 8-7, Kyobashi 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040031, JP
Données relatives à la priorité :
2017-13086204.07.2017JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING INFRARED-RECEIVING ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING OPTICAL SENSOR, LAMINATE, RESIST COMPOSITION, AND KIT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT RÉCEPTEUR D'INFRAROUGES, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CAPTEUR OPTIQUE, STRATIFIÉ, COMPOSITION DE PHOTORÉSINE ET KIT
(JA) 赤外線受光素子の製造方法、光センサの製造方法、積層体、レジスト組成物およびキット
Abrégé :
(EN) Provided are a method for manufacturing an infrared-receiving element, and a method for manufacturing an optical sensor, wherein infrared radiation can be detected at an increased S/N ratio. Also provided are a laminate, a resist composition, and a kit. In this method for manufacturing an infrared-receiving element, a pattern of a resist film having a thickness of at least 5 μm is formed on a support using a resist composition, and then ion implantation is performed on the support using the pattern of the resist film as a mask. In addition, in this method for manufacturing an optical sensor, an infrared-receiving element is manufactured by said method for manufacturing an infrared-receiving element, and then an infrared-transmitting filter layer that shields visible light and at least partially transmits infrared light is formed in at least a portion of a region in which the ion implantation of the infrared-receiving element has been performed.
(FR) L'invention concerne un procédé pour la fabrication d'un élément récepteur d'infrarouges et un procédé pour la fabrication d'un capteur optique, dans lequel un rayonnement infrarouge peut être détecté à un rapport S/N augmenté. L'invention concerne également un stratifié, une composition de photorésine et un kit. Dans ce procédé de fabrication d'un élément récepteur d'infrarouges, un motif d'un film de photorésine ayant une épaisseur d'au moins 5 µm est formé sur un support à l'aide d'une composition de photorésine, puis une implantation ionique est effectuée sur le support en employant le motif du film de photorésine en tant que masque. De plus, dans ce procédé de fabrication d'un capteur optique, un élément récepteur d'infrarouges est fabriqué par ledit procédé de fabrication d'un élément récepteur d'infrarouges, puis une couche de filtre transmettant les infrarouges qui pare la lumière visible et transmet au moins partiellement la lumière infrarouge est formée dans au moins une partie d'une région dans laquelle l'implantation ionique de l'élément récepteur d'infrarouges a été effectuée.
(JA) 赤外線のS/N比を高めて検出できる赤外線受光素子の製造方法および光センサの製造方法を提供する。また、積層体、レジスト組成物およびキットを提供する。 本発明の赤外線受光素子の製造方法は、レジスト組成物を用いて支持体上に厚さ5μm以上のレジスト膜のパターンを形成したのち、レジスト膜のパターンをマスクとして支持体に対してイオン注入を行う。また、本発明の光センサの製造方法は、本発明の赤外線受光素子の製造方法により赤外線受光素子を製造し、次いで、赤外線受光素子のイオン注入が行われた領域上の少なくとも一部に、可視光を遮光し赤外線の少なくとも一部を透過させる赤外線透過フィルタ層を形成する。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)