Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2019009092) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT PAR PLASMA ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT PAR PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2019/009092 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/023662
Date de publication : 10.01.2019 Date de dépôt international : 21.06.2018
CIB :
H01L 21/31 (2006.01) ,C23C 16/52 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01) ,H05H 1/46 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16
Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44
caractérisé par le procédé de revêtement
52
Commande ou régulation du processus de dépôt
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3065
Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
H
TECHNIQUE DU PLASMA; PRODUCTION DE PARTICULES ÉLECTRIQUEMENT CHARGÉES ACCÉLÉRÉES OU DE NEUTRONS; PRODUCTION OU ACCÉLÉRATION DE FAISCEAUX MOLÉCULAIRES OU ATOMIQUES NEUTRES
1
Production du plasma; Mise en œuvre du plasma
24
Production du plasma
46
utilisant des champs électromagnétiques appliqués, p.ex. de l'énergie à haute fréquence ou sous forme de micro-ondes
Déposants :
株式会社アルバック ULVAC, INC. [JP/JP]; 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地 2500 Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543, JP
Inventeurs :
菊池 亨 KIKUCHI, Toru; JP
神保 洋介 JINBO, Yosuke; JP
茶谷 宏紀 CHATANI, Hironori; JP
西方 靖 NISHIKATA, Osamu; JP
亀崎 厚治 KAMESAKI, Kouji; JP
Mandataire :
大森 純一 OMORI, Junichi; JP
Données relatives à la priorité :
2017-13185005.07.2017JP
Titre (EN) PLASMA TREATMENT METHOD AND PLASMA TREATMENT DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT PAR PLASMA ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT PAR PLASMA
(JA) プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
Abrégé :
(EN) [Problem] The present invention addresses the problem of improving productivity. [Solution] The plasma treatment according to the present invention includes heating a substrate supporting table to a first temperature, said substrate supporting table being disposed in a vacuum container. Under first discharge conditions, first plasma is generated between the substrate supporting table and a shower plate facing the substrate supporting table, and the shower plate is heated due to the first plasma and heat of the substrate supporting table. The temperature of the shower plate is monitored in a non-contact manner. After the temperature of the shower plate reaches a second temperature that is higher than the temperature heated by the heat of the substrate supporting table, a process gas is jetted toward the substrate supporting table from the shower plate, and under second discharge conditions, second plasma is generated between the substrate supporting table and the shower plate, thereby treating, using the second plasma, the substrate supported by the substrate supporting table.
(FR) La présente invention aborde le problème d'amélioration de la productivité. La solution selon la présente invention consiste en un traitement par plasma qui consiste à chauffer une table de support de substrat à une première température, ladite table de support de substrat étant disposée dans un récipient sous vide. Dans de premières conditions de décharge, un premier plasma est généré entre la table de support de substrat et une de plaque d'aspersion faisant face à la table de support de substrat, et la plaque d'aspersion est chauffée par le premier plasma et la chaleur de la table de support de substrat. La température de la plaque d'aspersion est contrôlée de manière sans contact. Après que la température de la plaque d'aspersion atteint une deuxième température qui est supérieure à la température chauffée par la chaleur de la table de support de substrat, un gaz de traitement est éjecté vers la table de support de substrat depuis la plaque d'aspersion, et dans de deuxièmes conditions de décharge, un deuxième plasma est généré entre la table de support de substrat et la plaque d'aspersion, traitant ainsi, au moyen du deuxième plasma, le substrat supporté par la table de support de substrat.
(JA) 【課題】生産性の向上。 【解決手段】プラズマ処理は、真空容器内に配置された基板支持台を第1温度に加熱することを含む。上記基板支持台と上記基板支持台に対向するシャワープレートとの間に第1放電条件による第1プラズマを発生させて、上記基板支持台が有する熱と上記第1プラズマによって上記シャワープレートが加熱される。上記シャワープレートの温度は、非接触でモニタリングされる。上記シャワープレートの温度が前記基板支持台の熱によって加熱される温度よりも高い第2温度に達した後、上記シャワープレートから上記基板支持台に向けてプロセスガスを噴射し、上記基板支持台と上記シャワープレートとの間に第2放電条件による第2プラズマを発生させて、上記第2プラズマにより、上記基板支持台に支持された基板が処理される。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)