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1. (WO2019008828) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2019/008828 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/008938
Date de publication : 10.01.2019 Date de dépôt international : 08.03.2018
CIB :
H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 23/28 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01) ,H02M 7/48 (2007.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
07
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L29/81
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
18
les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes H01L27/-H01L51/166
H ÉLECTRICITÉ
02
PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
M
APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALIMENTATION SIMILAIRES; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION
7
Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu; Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif
42
Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité
44
par convertisseurs statiques
48
utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
Déposants :
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
Inventeurs :
梶 勇輔 KAJI, Yusuke; JP
原田 耕三 HARADA, Kozo; JP
Mandataire :
特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; 大阪府大阪市北区中之島三丁目2番4号 中之島フェスティバルタワー・ウエスト Nakanoshima Festival Tower West, 2-4, Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
Données relatives à la priorité :
2017-13022103.07.2017JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
Abrégé :
(EN) Provided is a more compact, highly reliable semiconductor device. This semiconductor device (100) comprises an insulation substrate (41) having a main surface, a semiconductor element (2), a casing member (5), and a sealing resin (1) serving as a sealing material. The semiconductor element (2) is disposed above the main surface of the insulation substrate (41). The casing member (5) surrounds the semiconductor element (2) and is connected to the insulation substrate (41). The sealing resin (1) is disposed in an internal region surrounded by the casing member (5) and the insulation substrate (41), and surrounds the semiconductor element (2). The casing member (5) includes a recessed section (51) that faces the internal region and is connected to a connecting section connected to the insulation substrate (41). The recessed section (51) includes an opposing surface (61) serving as an inner wall section facing the main surface of the insulation substrate (41). The distance (H1) from the insulation substrate (41) main surface (first circuit substrate (31) upper surface) to the opposing surface (61) serving as the inner wall section is longer than the distance (H2) from the main surface to the upper surface (2a) of the semiconductor element (2).
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur plus compact et hautement fiable. Ce dispositif à semi-conducteur (100) comprend un substrat isolant (41) ayant une surface principale, un élément à semi-conducteur (2), un élément de boîtier (5), et une résine d'étanchéité (1) servant de matériau d'étanchéité. L'élément à semi-conducteur (2) est disposé au-dessus de la surface principale du substrat isolant (41). L'élément de boîtier (5) entoure l'élément à semi-conducteur (2) et est relié au substrat isolant (41). La résine d'étanchéité (1) est disposée dans une région interne entourée par l'élément de boîtier (5) et le substrat isolant (41), et entoure l'élément à semi-conducteur (2). L'élément de boîtier (5) comprend une section évidée (51) qui fait face à la région interne et est reliée à une section de connexion reliée au substrat isolant (41). La section évidée (51) comprend une surface opposée (61) servant de section de paroi interne faisant face à la surface principale du substrat isolant (41). La distance (H1) allant du substrat isolant (41) à la surface principale (surface supérieure du premier substrat de circuit (31) ) à la surface opposée (61) servant de section de paroi interne est plus longue que la distance (H2) allant de la surface principale à la surface supérieure (2a) de l'élément à semi-conducteur (2).
(JA) 小型化が可能であって信頼性の高い半導体装置を提供する。半導体装置(100)は、主表面を有する絶縁基板(41)と、半導体素子(2)と、ケース材(5)と、封止材料としての封止樹脂(1)とを備える。半導体素子(2)は、絶縁基板(41)の主表面上に配置される。ケース材(5)は、半導体素子(2)を囲み、絶縁基板(41)に接続される。封止樹脂(1)は、ケース材(5)と絶縁基板(41)とにより囲まれた内部領域に配置され、半導体素子(2)を囲む。ケース材(5)は、絶縁基板(41)と接続された接続部に連なり、内部領域に面する凹部(51)を含む。凹部(51)は、絶縁基板(41)の主表面に面する内壁部分としての対向面(61)を含む。絶縁基板(41)の主表面(第1回路基板(31)の上面)から内壁部分としての対向面(61)までの距離(H1)は、主表面から半導体素子(2)の上面(2a)までの距離(H2)より大きい。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)