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1. (WO2019008749) DÉTECTEUR DE GAZ DE TYPE À SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2019/008749 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/024987
Date de publication : 10.01.2019 Date de dépôt international : 07.07.2017
CIB :
G01N 27/12 (2006.01)
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
27
Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques
02
en recherchant l'impédance
04
en recherchant la résistance
12
d'un corps solide dépendant de l'absorption d'un fluide; d'un corps solide dépendant de la réaction avec un fluide
Déposants :
日本碍子株式会社 NGK INSULATORS, LTD. [JP/JP]; 愛知県名古屋市瑞穂区須田町2番56号 2-56, Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-city, Aichi 4678530, JP
Inventeurs :
丹羽 孝介 NIWA, Kousuke; JP
近藤 順悟 KONDOU, Jungo; JP
菱木 達也 HISHIKI, Tatsuya; JP
Mandataire :
特許業務法人アイテック国際特許事務所 ITEC INTERNATIONAL PATENT FIRM; 愛知県名古屋市中区錦二丁目16番26号SC伏見ビル SC Fushimi Bldg., 16-26, Nishiki 2-chome, Naka-ku, Nagoya-shi, Aichi 4600003, JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR-TYPE GAS SENSOR
(FR) DÉTECTEUR DE GAZ DE TYPE À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体式ガスセンサ
Abrégé :
(EN) A semiconductor-type gas sensor comprising: a pair of electrodes provided on the surface of a substrate; an oxide semiconductor layer provided so as to be in contact with the pair of electrodes; a linker covalently bonded to the surface of the oxide semiconductor layer at a first bonding site; an ion fluid covalently bonded to the linker at a second bonding site on the linker that is different from the first bonding site; and a metal complex that has the property of selectively capturing a specific gas and is immobilized via the ion fluid.
(FR) L'invention concerne un détecteur de gaz de type à semi-conducteur comprenant : une paire d'électrodes situées sur la surface d'un substrat ; une couche semi-conductrice d'oxyde disposée de manière à être en contact avec la paire d'électrodes ; un lieur lié de manière covalente à la surface de la couche semi-conductrice d'oxyde au niveau d'un premier site de liaison ; un fluide ionique lié de manière covalente au lieur au niveau d'un second site de liaison sur le lieur différent du premier site de liaison ; et un complexe métallique présentant la propriété de capturer sélectivement un gaz spécifique et immobilisé par l'intermédiaire du fluide ionique.
(JA) 半導体式ガスセンサは、基板の表面に設けられた一対の電極と、一対の電極と接触するように設けられた酸化物半導体層と、酸化物半導体層の表面に第1結合部位で共有結合するリンカー部と、リンカー部のうち第1結合部位とは異なる第2結合部位でリンカー部と共有結合するイオン液体と、特定のガスを選択的に捕捉する性質を持ち、イオン液体を介して固定化された金属錯体と、を備える。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)