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1. (WO2019008339) FABRICATION DE DISPOSITIFS EN MATÉRIAU ÉLECTRONIQUE CORRÉLÉ (CEM)
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N° de publication : WO/2019/008339 N° de la demande internationale : PCT/GB2018/051862
Date de publication : 10.01.2019 Date de dépôt international : 03.07.2018
CIB :
H01L 45/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
45
Dispositifs à l'état solide spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la production d'oscillations ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface, p.ex. triodes diélectriques; Dispositifs à effet Ovshinsky; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
ARM LTD [GB/GB]; 110 Fulbourn Road Cambridge CB1 9NJ, GB
Inventeurs :
ARAUJO, Carlos; GB
CELINSKA, Jolanta; GB
SHIFREN, Lucian; GB
Mandataire :
TLIP LTD; 14 King Street Leeds LS1 2HL, GB
Données relatives à la priorité :
15/641,12403.07.2017US
Titre (EN) FABRICATING CORRELATED ELECTRON MATERIAL (CEM) DEVICES
(FR) FABRICATION DE DISPOSITIFS EN MATÉRIAU ÉLECTRONIQUE CORRÉLÉ (CEM)
Abrégé :
(EN) Subject matter disclosed herein may relate to construction of a correlated electron material (CEM) device. In particular embodiments, after formation of a film comprising layers of a transition metal oxide (TMO) material and a dopant, at least a portion of the film may be exposed to an elevated temperature. Exposure of the at least a portion of the film to the elevated temperature may continue until the atomic concentration of the dopant within the film is reduced, which may enable operation of the film as a correlated electron material CEM exhibiting switching of impedance states.
(FR) L'invention peut concerner des dispositifs en matériau électronique corrélé (CEM). Dans des modes de réalisation particuliers, après la formation d'un film comprenant des couches d'un matériau d'oxyde de métal de transition (TMO) et d'un dopant, au moins une partie du film peut être exposée à une température élevée. L'exposition de ladite partie du film à la température élevée peut se poursuivre jusqu'à ce que la concentration atomique du dopant dans le film soit réduite, ce qui peut permettre le fonctionnement du film en tant que matériau électronique corrélé CEM présentant une commutation d'états d'impédance.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)