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1. (WO2019007373) DISPOSITIF DE MÉMORISATION À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN PROFIL DE SON CONDENSATEUR
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N° de publication : WO/2019/007373 N° de la demande internationale : PCT/CN2018/094525
Date de publication : 10.01.2019 Date de dépôt international : 04.07.2018
CIB :
H01L 23/64 (2006.01) ,H01L 27/108 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
58
Dispositions électriques structurelles non prévues ailleurs pour dispositifs semi-conducteurs
64
Dispositions relatives à l'impédance
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
10
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105
comprenant des composants à effet de champ
108
Structures de mémoires dynamiques à accès aléatoire
Déposants :
CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. [CN/CN]; Room 630, Haiheng Building, No. 6, Cuiwei Road, Economic and Technological Development Zone, Hefei, Anhui 230000, CN
Inventeurs :
ZHU, Rongfu; CN
Mandataire :
METIS IP (CHENGDU) LLC; (No. 846 South Tianfu Road) Tianfu Innovation Center Chengdu, Sichuan 610213, CN
Données relatives à la priorité :
201710539203.104.07.2017CN
Titre (EN) SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE AND METHOD FOR FORMING A PROFILE OF A CAPACITOR THEREOF
(FR) DISPOSITIF DE MÉMORISATION À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN PROFIL DE SON CONDENSATEUR
Abrégé :
(EN) The present disclosure provide a method for forming a capacitor profile on a semiconductor. The method may include: providing a semiconductor substrate; forming a dielectric layer on the semiconductor substrate; forming an ion reflecting mask layer on the dielectric layer; forming a plurality of patterned openings by etching through the ion reflecting mask layer to expose the dielectric layer; and forming a plurality of trenching capacitor profiles by etching through the dielectric layer from the plurality of patterned openings, respectively, to expose the semiconductor substrate, wherein each trenching capacitor profile includes a bowing profile formed at 75%-95% of a height of the trenching capacitor profile above the semiconductor substrate.
(FR) La présente invention concerne un procédé de formation d'un profil de condensateur sur un semi-conducteur. Le procédé peut consister à : utiliser un substrat semi-conducteur ; former une couche diélectrique sur le substrat semi-conducteur ; former une couche de masque de réflexion d'ions sur la couche diélectrique ; former une pluralité d'ouvertures ayant fait l'objet d'une formation de motifs par gravure à travers la couche de masque de réflexion d'ions de façon à exposer la couche diélectrique ; et former une pluralité de profils de condensateur de tranchée par gravure à travers la couche diélectrique en partant respectivement de la pluralité d'ouvertures ayant fait l'objet d'une formation de motifs, pour exposer le substrat semi-conducteur, chaque profil de condensateur de tranchée comprenant un profil arqué formé à 75 % à 95 % d'une hauteur du profil de condensateur de tranchée au-dessus du substrat semi-conducteur.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)