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1. (WO2019007136) SUBSTRAT DE RÉSEAU ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION, ET PANNEAU D'AFFICHAGE
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N° de publication : WO/2019/007136 N° de la demande internationale : PCT/CN2018/083983
Date de publication : 10.01.2019 Date de dépôt international : 20.04.2018
CIB :
H01L 27/12 (2006.01) ,H01L 21/77 (2017.01) ,H01L 23/552 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
12
le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
552
Protection contre les radiations, p.ex. la lumière
Déposants :
京东方科技集团股份有限公司 BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; 中国北京市 朝阳区酒仙桥路10号 No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015, CN
成都京东方光电科技有限公司 CHENGDU BOE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国四川省成都市 高新区(西区)合作路1188号 No.1188 Hezuo Rd., (West Zone), Hi-tech Development Zone Chengdu, Sichuan 611731, CN
Inventeurs :
臧鹏程 ZANG, Pengcheng; CN
高山 GAO, Shan; CN
徐元杰 XU, Yuanjie; CN
Mandataire :
北京律智知识产权代理有限公司 BEIJING INTELLEGAL INTELLECTUAL PROPERTY AGENT LTD.; 中国北京市 朝阳区慧忠路5号B1605、B1606、B1607 B1605, B1606, B1607, No. 5 Huizhong Road, Chaoyang District Beijing 100101, CN
Données relatives à la priorité :
201710534097.803.07.2017CN
Titre (EN) ARRAY SUBSTRATE AND PREPARATION METHOD THEREFOR, AND DISPLAY PANEL
(FR) SUBSTRAT DE RÉSEAU ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION, ET PANNEAU D'AFFICHAGE
(ZH) 阵列基板、其制备方法和显示面板
Abrégé :
(EN) An array substrate and a preparation method therefor, and a display panel. The array substrate comprises: a base substrate (100); a thin film transistor disposed at one side of the base substrate (100) and comprising a first electrode, a second electrode, and a gate (200); a data line 700 disposed at one side of the base substrate (100); and a connecting electrode (800) for electrically connecting the first electrode of the thin film transistor to the data line (700). An orthographic projection of an active layer (400) of the thin film transistor on the base substrate (100) is located within an orthographic projection of the gate (200) of the thin film transistor on the base substrate (100). For the array substrate, a projection of the active layer (400) on a gate insulating layer (300) falls within a projection of the gate (200) on the gate insulating layer (300), and the first electrode and the data line (700) are connected by using the connecting electrode (800), such that the problem of a light leakage current caused by the active layer (400) being exposed out of the gate (200) is reduced, and thus the display stability of a display panel consisting of the array substrate is improved.
(FR) L'invention concerne un substrat de réseau et son procédé de fabrication, et un panneau d'affichage. Le substrat de réseau comprend : un substrat de base (100); un transistor à couches minces disposé sur un côté du substrat de base (100) et comprenant une première électrode, une seconde électrode et une grille (200); une ligne de données 700 disposée sur un côté du substrat de base (100); et une électrode de connexion (800) pour connecter électriquement la première électrode du transistor à couches minces à la ligne de données (700). Une projection orthographique d'une couche active (400) du transistor à couches minces sur le substrat de base (100) est située à l'intérieur d'une projection orthographique de la grille (200) du transistor à couches minces sur le substrat de base (100). Pour le substrat de réseau, une projection de la couche active (400) sur une couche d'isolation de grille (300) tombe dans une projection de la grille (200) sur la couche d'isolation de grille (300), et la première électrode et la ligne de données (700) sont connectées en utilisant l'électrode de connexion (800), de telle sorte que le problème d'un courant de fuite de lumière provoqué par la couche active (400) étant exposée hors de la grille (200) est réduit, et ainsi la stabilité d'affichage d'un panneau d'affichage consistant en le substrat de réseau est améliorée.
(ZH) 一种阵列基板、其制备方法和显示面板,阵列基板包括:衬底基板(100);薄膜晶体管,设置在衬底基板(100)的一侧,并包括第一电极、第二电极和栅极(200);数据线(700),设置在衬底基板(100)的一侧;连接电极(800),将薄膜晶体管的第一电极与数据线(700)电连接;其中,薄膜晶体管的有源层(400)在衬底基板(100)上的正投影位于薄膜晶体管的栅极(200)在衬底基板(100)的正投影之内。阵列基板,其有源层(400)在栅绝缘层(300)的投影都落在栅极(200)在栅绝缘层(300)的投影之内,再利用连接电极(800)将第一电极和数据线(700)连接,从而减少了有源层(400)外漏在栅极(200)之外而产生的光漏电问题,进而提高阵列基板组成的显示面板的显示稳定性。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)