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1. (WO2019006888) DIODE
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N° de publication : WO/2019/006888 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/102672
Date de publication : 10.01.2019 Date de dépôt international : 21.09.2017
CIB :
H01L 29/868 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
86
commandés uniquement par la variation du courant électrique fourni, ou uniquement par la tension électrique appliquée, à l'une ou plusieurs des électrodes transportant le courant à redresser, amplifier, faire osciller, ou commuter
861
Diodes
868
Diodes PIN
Déposants :
全球能源互联网研究院有限公司 GLOBAL ENERGY INTERCONNECTION RESEARCH INSTITUTE CO., LTD. [CN/CN]; 中国北京市 昌平区未来科技城滨河大道18号 18 Binhe Ave., Future Science Park Changping District Beijing 102211, CN
Inventeurs :
金锐 JIN, Rui; CN
刘钺杨 LIU, Yueyang; CN
徐哲 XU, Zhe; CN
吴迪 WU, Di; CN
温家良 WEN, Jialiang; CN
潘艳 PAN, Yan; CN
赵岩 ZHAO, Yan; CN
曹功勋 CAO, Gongxun; CN
和峰 HE, Feng; CN
崔磊 CUI, Lei; CN
王耀华 WANG, Yaohua; CN
刘江 LIU, Jiang; CN
Mandataire :
北京派特恩知识产权代理有限公司 CHINA PAT INTELLECTUAL PROPERTY OFFICE; 中国北京市 海淀区海淀南路21号中关村知识产权大厦B座2层 2nd Floor, Zhongguancun Intellectual Property Building, Block B No.21 Haidian South Road, Haidian District Beijing 100080, CN
Données relatives à la priorité :
201710546131.306.07.2017CN
Titre (EN) DIODE
(FR) DIODE
(ZH) 二极管
Abrégé :
(EN) Provided is a diode, comprising a P region (11) as an anode, an N- region (12) as a drift region, and an N+ region (13) as a cathode distributed sequentially, wherein an N-type control region (14) is provided in the N- region, the average doping concentration of the N-type control region is greater than that of the N- region, and the thickness of the N-type control region is less than that of the N- region.
(FR) L'invention concerne une diode, comprenant une région P (11) en tant qu'anode, une région N (12) en tant que région de dérive, et une région N + (13) en tant que cathode distribuées de manière séquentielle, une région de commande de type N (14) est disposée dans la région N, la concentration de dopage moyenne de la région de commande de type N est supérieure à celle de la région N, et l'épaisseur de la région de commande de type N est inférieure à celle de la région N.
(ZH) 提供一种二极管,包括依次分布的作为阳极的P区(11)、作为漂移区的N-区(12)和作为阴极的N+区(13);其中,在N-区中设置有N型控制区(14),其中N型控制区的平均掺杂浓度大于N-区的平均掺杂浓度,N型控制区的厚度小于N-区的厚度。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)