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1. (WO2019006817) SUBSTRAT DE MATRICE ET PANNEAU D'AFFICHAGE
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N° de publication : WO/2019/006817 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/096714
Date de publication : 10.01.2019 Date de dépôt international : 10.08.2017
CIB :
H01L 27/12 (2006.01) ,G02F 1/1368 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
12
le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
F
DISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1
Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source de lumière indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01
pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
13
basés sur des cristaux liquides, p.ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides
133
Dispositions relatives à la structure; Excitation de cellules à cristaux liquides; Dispositions relatives aux circuits
136
Cellules à cristaux liquides associées structurellement avec une couche ou un substrat semi-conducteurs, p.ex. cellules faisant partie d'un circuit intégré
1362
Cellules à adressage par une matrice active
1368
dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes
Déposants :
惠科股份有限公司 HKC CORPORATION LIMITED [CN/CN]; 中国广东省深圳市 宝安区石岩街道水田村民营工业园惠科工业园厂房1、2、3栋,九州阳光1号厂房5、7楼 5th and 7th Floor of Factory Building 1, Jiuzhou Yangguang, Factory Buildings 1, 2, 3 HKC Industrial Park, Privately Operated Industrial Park, Shuitian Village, Shiyan Sub-District, Baoan District Shenzhen, Guangdong 518000, CN
重庆惠科金渝光电科技有限公司 CHONGQING HKC OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国重庆市 巴南区界石镇石景路1号 No. 1 Shijing Rd., Jieshi, Banan District Chongqing 400000, CN
Inventeurs :
卓恩宗 CHO, En-Tsung; CN
樊堃 FAN, Kun; CN
Mandataire :
深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) SHENZHEN BAIRUI PATENT & TRADEMARK OFFICE; 中国广东省深圳市 福田区竹子林益华综合楼A栋205 Room 205 Building A, Yihua Complex Building, Zhuzi Lin, Futian District Shenzhen, Guangdong 518000, CN
Données relatives à la priorité :
201710549910.906.07.2017CN
Titre (EN) ARRAY SUBSTRATE AND DISPLAY PANEL
(FR) SUBSTRAT DE MATRICE ET PANNEAU D'AFFICHAGE
(ZH) 一种阵列基板和显示面板
Abrégé :
(EN) An array substrate (100) and a display panel. The array substrate (100) comprises: a substrate (110), a gate electrode (120), a gate insulating layer (130), a semiconductor layer (140), a source electrode (150), and a drain electrode (160). The gate electrode (120) is formed on the upper surface of the substrate (110); the gate insulating layer (130) is formed on the upper surfaces of the gate electrode (120) and the substrate (110) to cover the gate electrode (120); the semiconductor layer (140) is formed on the upper surface of the gate insulating layer (130) and is located above the gate electrode (120); the semiconductor layer (140) is formed of silicon germanium oxide; a channel portion (190) is formed on the semiconductor layer (140); the source electrode (150) is formed on the surfaces of the gate insulating layer (130) and the semiconductor layer (140) and is located at one side of the channel portion (190); the drain electrode (160) is formed on the surfaces of the gate insulating layer (130) and the semiconductor layer (140) and is located at the other side of the channel portion (190).
(FR) L'invention concerne un substrat de matrice (100) et un panneau d'affichage. Le substrat de matrice (100) comprend : un substrat (110), une électrode de grille (120), une couche isolante de grille (130), une couche semi-conductrice (140), une électrode de source (150), et une électrode de drain (160). L'électrode de grille (120) est formée sur les surfaces supérieures du substrat (110); la couche isolante de grille (130) est formée sur les surfaces supérieures de l'électrode de grille (120) et du substrat (110) pour recouvrir l'électrode de grille (120); la couche semi-conductrice (140) est formée sur la surface supérieure de la couche isolante de grille (130) et est située au-dessus de l'électrode de grille (120); la couche semi-conductrice (140) est formée d'oxyde de silicium et de germanium; une partie de canal (190) est formée sur la couche semi-conductrice (140); l'électrode de source (150) est formée sur les surfaces de la couche isolante de grille (130) et de la couche semi-conductrice (140) et est située d'un côté de la partie de canal (190); l'électrode de drain (160) est formée sur les surfaces de la couche isolante de grille (130) et de la couche semi-conductrice (140) et est située de l'autre côté de la partie de canal (190).
(ZH) 一种阵列基板(100)和显示面板,阵列基板(100)包括:基板(110)、栅电极(120)、栅极绝缘层(130)、半导体层(140)、源电极(150)和漏电极(160),栅电极(120)形成在基板(110)上表面;栅极绝缘层(130)形成在栅电极(120)和基板(110)上表面,覆盖栅电极(120);半导体层(140)形成在栅极绝缘层(130)上表面,且位于栅电极(120)上方,半导体层(140)由硅锗氧化物形成,半导体层(140)形成有沟道部(190);源电极(150)形成在栅极绝缘层(130)和半导体层(140)表面,且位于沟道部(190)一侧;漏电极(160)形成在栅极绝缘层(130)和半导体层(140)表面,且位于沟道部(190)另一侧。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)