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1. (WO2019005468) CELLULES DE MÉMOIRE AYANT DES RÉSISTANCES ET FORMATION DE CES DERNIÈRES
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N° de publication : WO/2019/005468 N° de la demande internationale : PCT/US2018/036985
Date de publication : 03.01.2019 Date de dépôt international : 12.06.2018
CIB :
H01L 45/00 (2006.01) ,H01L 25/065 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
45
Dispositifs à l'état solide spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la production d'oscillations ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface, p.ex. triodes diélectriques; Dispositifs à effet Ovshinsky; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
065
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L27/81
Déposants :
MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; Mail Stop 525 8000 South Federal Way P.O. Box 6 Boise, Idaho 83707-0006, US
Inventeurs :
PELLIZZER, Fabio; US
REDAELLI, Andrea; IT
PIROVANO, Agostino; IT
TORTORELLI, Innocenzo; IT
Mandataire :
KERN, Jacob T.; US
Données relatives à la priorité :
15/632,53626.06.2017US
Titre (EN) MEMORY CELLS HAVING RESISTORS AND FORMATION OF THE SAME
(FR) CELLULES DE MÉMOIRE AYANT DES RÉSISTANCES ET FORMATION DE CES DERNIÈRES
Abrégé :
(EN) The present disclosure includes memory cells having resistors, and methods of forming the same. An example method includes forming a first conductive line, forming a second conductive line, and forming a memory element between the first conductive line and the second conductive line. Forming the memory element can include forming one or more memory materials, and forming a resistor in series with the one or more memory materials. The resistor can be configured to reduce a capacitive discharge through the memory element during a state transition of the memory element.
(FR) La présente invention concerne des cellules de mémoire ayant des résistances et des procédés de formation de ces dernières. Un procédé donné à titre d'exemple consiste à former une première ligne conductrice, à former une seconde ligne conductrice et à former un élément de mémoire entre la première ligne conductrice et la seconde ligne conductrice. La formation de l'élément de mémoire peut consister à former un ou de plusieurs matériaux de mémoire et à former une résistance en série avec le ou les matériaux de mémoire. La résistance peut être configurée de sorte à réduire une décharge capacitive à travers l'élément de mémoire pendant une transition d'état de l'élément de mémoire.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)